[发明专利]垂直腔面发射激光器在审

专利信息
申请号: 202210065595.3 申请日: 2022-01-20
公开(公告)号: CN114792933A 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 井上大辅 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/042;H01S5/30
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;霍玉娟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 垂直 发射 激光器
【说明书】:

本发明公开了一种垂直腔面发射激光器,其具备:衬底,其具有包含第一区域以及第二区域的主表面;极柱,其设置在第一区域上,所述极柱包含设置在第一区域上的第一导电型的第一分布布拉格反射器、设置在第一分布布拉格反射器上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电型的第二分布布拉格反射器;层叠体,其设置在主表面上,所述层叠体具备上表面,该上表面具有配置在第二区域上的至少一个凹部;树脂部,其配置在至少一个凹部内;以及电极焊盘,其设置在树脂部上并且与第一分布布拉格反射器以及第二分布布拉格反射器中的任一方电连接。

技术领域

本发明涉及垂直腔面发射激光器。

背景技术

专利文献1公开了为了降低由电极焊盘引起的电容而具备配置在电极焊盘之下的聚酰亚胺部的垂直腔面发射激光器。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1:A.N.Al-Omari and K.L.Lear,VCSELs with a self-alignedcontactand copper-plated heatsink,in IEEE Photonics Technology Letters,vol.17,no.9,pp.1767-1769,Sept.2005,doi:10.1109/LPT.2005.851938.

发明内容

发明所要解决的问题

上述聚酰亚胺部通过将形成于半导体层叠体的上表面上的聚酰亚胺层中的、配置在电极焊盘之下的部分以外的部分去除而形成。因此,聚酰亚胺部具有从半导体层叠体的上表面突出的台面形状。

本发明提供一种能够抑制树脂部从层叠体的上表面突出、或者能够减少树脂部从层叠体的上表面突出的量的垂直腔面发射激光器。

用于解决问题的手段

本公开的一个侧面所涉及的垂直腔面发射激光器具备:衬底,其具有包含第一区域以及第二区域的主表面;极柱,其设置在所述第一区域上,所述极柱包含设置在所述第一区域上的第一导电型的第一分布布拉格反射器、设置在所述第一分布布拉格反射器上的有源层、以及设置在所述有源层上的第二导电型的第二分布布拉格反射器;层叠体,其设置在所述主表面上,所述层叠体具备上表面,该上表面具有配置在所述第二区域上的至少一个凹部;树脂部,其配置在所述至少一个凹部内;以及电极焊盘,其设置在所述树脂部上并且与所述第一分布布拉格反射器以及所述第二分布布拉格反射器中的任一方电连接。

发明效果

根据本公开,提供了一种能够抑制树脂部从层叠体的上表面突出、或者能够减少树脂部从层叠体的上表面突出的量的垂直腔面发射激光器。

附图说明

图1是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的俯视图。

图2是沿着图1的II-II线的剖视图。

图3是沿着图1的III-III线的剖视图。

图4是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的一部分的俯视图。

图5是将图2的一部分放大而表示的剖视图。

图6是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的制造方法的一个工序的剖视图。

图7是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的制造方法的一个工序的剖视图。

图8是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的制造方法的一个工序的剖视图。

图9是示意性地表示一个实施方式所涉及的垂直腔面发射激光器的制造方法的一个工序的剖视图。

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