[发明专利]高功率元件总成在审
| 申请号： | 202210066910.4 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114551363A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 何焱腾;陈乃榕 | 申请（专利权）人： | 瑞砻科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/373;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 元件 总成 | ||
【权利要求书】：
1.一种高功率元件总成，其特征在于，包含有：
一基板，其材质为单晶碳化硅、单晶硅与单晶蓝宝石以外的其他材质；
一成核层，是为单晶氮化铝(AlN)、单晶氮化铝镓(AlGaN)或单晶氮化镓(GaN)材质且覆盖于该基板的表面；以及
一高功率元件，是覆设于该成核层的表面。
2.根据权利要求1所述的高功率元件总成，其特征在于，该基板的材质为金(Au)、金合金、铜(Cu)、铜合金、钨铜(CuW)、钨铜合金、铜钼铜(CuMoCu)、铜钼铜合金、多晶或单晶钻石(polycrystalline or single crystalline diamond)、氮化铝陶瓷(AlN ceramic)、碳化硅陶瓷(SiC ceramic)或氧化铍陶瓷(BeO ceramic)。
3.根据权利要求1所述的高功率元件总成，其特征在于，该高功率元件是氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)、氮化镓萧特基二极管(GaN Schottky barrier Diode)、发光二极管(LED)或激光二极管(laser diode)。
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