[发明专利]谐振器及其制备方法、滤波器有效

专利信息
申请号: 202210067464.9 申请日: 2022-01-20
公开(公告)号: CN114421910B 公开(公告)日: 2023-06-09
发明(设计)人: 罗天成;蔡耀;高超;邹杨;林炳辉;龙开祥;孙博文;孙成亮 申请(专利权)人: 武汉敏声新技术有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 崔熠
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 谐振器 及其 制备 方法 滤波器
【权利要求书】:

1.一种谐振器的制备方法,其特征在于,包括:

在第一衬底上依次形成压电层、第一电极层和第一键合层;

对所述第一键合层进行图案化,以形成第一键合环、围设于所述第一键合环外周的第二键合环,以及围设于所述第二键合环外周的第三键合环;并刻蚀露出的所述第一电极层,以形成位于所述第三键合环和所述第二键合环之间的第一窗口;

在第二衬底上依次形成第一支撑层和第二键合层;

对所述第二键合层进行图案化,以形成第四键合环和围设于所述第四键合环外周的第五键合环;并刻蚀露出的所述第一支撑层,以形成位于所述第四键合环和所述第五键合环之间的第二窗口和位于所述第四键合环内的第三窗口,得到位于所述第三窗口和所述第二窗口之间的边界环,所述边界环包括位于所述第二窗口和所述第三窗口之间的所述第一支撑层的部分以及所述第四键合环;

将所述第三键合环和所述第五键合环键合、所述第二键合环和所述第四键合环键合,以得到谐振器的空腔结构;

去除所述第一衬底,并在所述压电层上形成第二电极层。

2.根据权利要求1所述的谐振器的制备方法,其特征在于,所述在第一衬底上依次形成压电层、第一电极层和第一键合层,包括:

在所述第一衬底上形成第二支撑层;

在所述第二支撑层上依次形成压电层、第一电极层和第一键合层。

3.根据权利要求2所述的谐振器的制备方法,其特征在于,所述去除所述第一衬底,并在所述压电层上形成第二电极层,包括:

去除所述第一衬底;

刻蚀所述第二支撑层和所述压电层,以形成露出所述第一电极层的第一通孔;

刻蚀所述第二支撑层以形成露出所述压电层的第二通孔,其中,所述第一通孔和所述第二通孔在所述压电层上的正投影无交叠;

在所述压电层上沉积金属材料,并刻蚀所述金属材料以形成间隔的第二电极层和引出电极,所述第二电极层穿过所述第二通孔与所述压电层互联,所述引出电极穿过所述第一通孔和所述第一电极层互联。

4.根据权利要求2所述的谐振器的制备方法,其特征在于,所述第一支撑层和所述第二支撑层的材料均为二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的谐振器的制备方法,其特征在于,所述对所述第一键合层进行图案化,以形成第一键合环、围设于所述第一键合环外周的第二键合环,以及围设于所述第二键合环外周的第三键合环;并刻蚀露出的所述第一电极层,以形成位于所述第三键合环和所述第二键合环之间的第一窗口,包括:

刻蚀所述第一键合层,以形成第五窗口;

刻蚀所述第一键合层和所述第一电极层,以形成第一窗口和位于所述第一窗口外周的第三键合环,所述第一窗口和所述第五窗口在所述第一衬底上的正投影无交叠;

刻蚀所述第一键合层形成位于所述第五窗口和所述第一窗口之间的第六窗口,以得到位于所述第三键合环内的第二键合环和位于所述第二键合环内的第一键合环。

6.根据权利要求1所述的谐振器的制备方法,其特征在于,所述第三键合环和所述第五键合环的外形适配、所述第二键合环和所述第四键合环的外形适配。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的谐振器的制备方法,其特征在于,所述第一电极层和所述第二电极层的材料分别为钼、铝、铂、银、钨和金中的任意一种。

8.根据权利要求1至6任意一项所述的谐振器的制备方法,其特征在于,所述压电层的材料为氮化铝、铌酸锂、钽酸锂以及锆钛酸铅中的任意一种。

9.一种谐振器,其特征在于,由权利要求1至8中任意一项所述的谐振器的制备方法制备得到。

10.一种滤波器,其特征在于,包括权利要求9所述的谐振器。

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