[发明专利]一种高性能的有源低通滤波器在审
| 申请号： | 202210068240.X | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114826204A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 郑文锴;李俊;陈志坚;王彦杰 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H03H11/04 | 分类号： | H03H11/04 |
| 代理公司： | 广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为;冼俊鹏 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 有源 滤波器 | ||
1.一种高性能的有源低通滤波器，包括结构相同的P路滤波单元(S1)和N路滤波单元(S2)，两路滤波单元的输入互为差分输入；
其特征在于，
还设置第一MOS电容(MC1)和第二MOS电容(MC2)；
所述的第一MOS电容(MC1)衬底端连接P路滤波单元(S1)的信号输出端，门极端连接N路滤波单元(S2)的信号输入端，所述的第一MOS电容(MC1)用于抵消P路滤波单元(S1)的信号输入端与自身信号输出端之间的寄生电容；
所述的第二MOS电容(MC2)衬底端连接N路滤波单元(S2)的信号输出端，门极端连接P路滤波单元(S1)的信号输入端，所述的第二MOS电容(MC2)用于抵消N路滤波单元(S2)的信号输入端与自身信号输出端之间的寄生电容。
2.根据权利要求1所述一种高性能的有源低通滤波器，其特征在于，设有共模反馈单元(S4)；
所述的P路滤波单元(S1)包括P路第一MOS管(M1P)、P路第二MOS管(M2P)、P路第一电容阵列(C1P)和P路第二电容阵列(C2P)；P路第一MOS管(M1P)漏极连接共模反馈单元(S4)的P路共模输入信号(VxP)，P路第一MOS管(M1P)源极作为信号输出端，P路第一MOS管(M1P)栅极作为信号输入端；P路第二MOS管(M2P)漏极连接P路第一MOS管(M1P)源极，P路第二MOS管(M2P)源极接地，P路第二MOS管(M2P)栅极连接P路第一MOS管(M1P)漏极；P路第一电容阵列(C1P)并联在P路第一MOS管(M1P)的源漏之间，P路第二电容阵列(C2P)并联在P路第二MOS管(M2P)的源漏之间；
所述的N路滤波单元(S2)包括N路第一MOS管(M1N)、N路第二MOS管(M2N)、N路第一电容阵列(C1N)和N路第二电容阵列(C2N)；N路第一MOS管(M1N)漏极连接共模反馈单元(S4)的N路共模输入信号(VxN)，N路第一MOS管(M1N)源极作为信号输出端，N路第一MOS管(M1N)栅极作为信号输入端；N路第二MOS管(M2N)漏极连接N路第一MOS管(M1N)源极，N路第二MOS管(M2N)源极接地，N路第二MOS管(M2N)栅极连接N路第一MOS管(M1N)漏极；N路第一电容阵列(C1N)并联在N路第一MOS管(M1N)的源漏之间，N路第二电容阵列(C2N)并联在N路第二MOS管(M2N)的源漏之间。
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