[发明专利]光刻设备、气浴装置及其气浴发生器

说明书

本发明提供一种光刻设备、气浴装置及其气浴发生器，其中气浴发生器包括封闭环体，所述封闭环体围绕工作区域设置，且所述封闭环体的内部形成环形流道，所述封闭环体上还设置有与所述环形流道连通的周向分布的出气口，所述出气口产生围绕所述工作区域分布的封闭气流层。本发明提供的气浴发生器能够用于光刻设备，并沿周向围绕光刻设备曝光区域设置，在曝光区域的周边形成一圈与外界隔离的封闭气流层，解决了如何降低光刻设备内位于曝光区域的硅片微环境的气体污染和颗粒污染的问题。

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，尤其涉及一种光刻设备、气浴装置及其气浴发生器。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息，其并不必然是现有技术。

光刻技术是极大规模集成电路制造的关键技术之一，无论是投影式光刻、接近式光刻还是接触式光刻等等，光刻设备对工作环境的要求特别苛刻，主要表现在防止硅片微环境的颗粒污染和气体污染，光刻设备内的颗粒污染物和气体污染物都会降低光刻良率，缩短光学元件寿命。

因此，需要对光刻设备内硅片微环境的气体污染物和颗粒污染物进行严格的控制。

发明内容

本发明的目的是至少解决如何降低光刻设备内硅片微环境的气体污染和颗粒污染的问题。该目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的第一方面提出了一种气浴发生器，包括：

封闭环体，所述封闭环体围绕工作区域设置，且所述封闭环体的内部形成环形流道，所述封闭环体上还设置有与所述环形流道连通的周向分布的出气口，所述出气口产生围绕所述工作区域分布的封闭气流层。

根据本发明的气浴发生器，出气口产生围绕工作区域分布的封闭气流层，封闭气流层使外部的颗粒污染物和气体污染物无法跨越屏障进入到工作区域内，在气浴发生器用于光刻设备的情况下，气浴发生器沿周向围绕光刻设备的曝光区域设置，在曝光区域的周边形成一圈与外界隔离的封闭气流层，很好地降低了光刻设备内硅片微环境的气体和颗粒污染。

另外，根据本发明的气浴发生器，还可具有如下附加的技术特征：

在本发明的一些实施例中，所述气浴发生器为圆环状，所述出气口设置于所述气浴发生器的顶部，所述气浴发生器的侧壁设置有气源连通的至少一个进气口。

在本发明的一些实施例中，不同位置的所述出气口的孔径和/或开孔密度不同；靠近所述进气口的出气口的孔径比远离所述进气口的出气口的孔径小；靠近所述进气口的出气口的开孔密度比远离所述进气口的出气口的开孔密度小。

在本发明的一些实施例中，所述气浴发生器的内部安装有至少一块环形折流板，且每一块所述环形折流板的顶部或底部与所述气浴发生器之间具有流通间隙。

在本发明的一些实施例中，多块所述环形折流板形成的多个所述流通间隙，将所述气浴发生器的环形流道沿径向分隔形成S形通道，所述进气口位于S形通道的上游，所述出气口位于S形通道的下游。

在本发明的一些实施例中，所述气浴发生器的所述环形流道安装有至少一块环形多孔板，且所述至少一块环形多孔板沿所述环形流道的径向间隔设置。

在本发明的一些实施例中，所述气浴发生器的内顶面和内底面之间安装有一块环形多孔介质。

本发明还提供了一种气浴装置，包括：如上所述的气浴发生器；还包括气瓶、气体预处理系统，所述气瓶、所述气体预处理系统、所述气浴发生器依次连通。

在本发明的一些实施例中，所述气体预处理系统包括依次连通的纯化器、流量控制器和温控装置，所述纯化器与所述气瓶连通，所述温控装置与所述气浴发生器的进气口连通。

根据本发明实施例的气浴装置与上述气浴装置的气浴发生器具有相同的优势，此处不再赘述。