[发明专利]一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法有效
申请号: | 202210070334.0 | 申请日: | 2022-01-21 |
公开(公告)号: | CN114538899B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 杨大胜;施纯锡 | 申请(专利权)人: | 福建华清电子材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/15 | 分类号: | H01L23/15;C04B35/10;C04B35/622;C04B35/64;B28B17/02;B28C3/00 |
代理公司: | 泉州市诚得知识产权代理事务所(普通合伙) 35209 | 代理人: | 郑建强 |
地址: | 362200 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 996 氧化铝陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)烧结助剂的制备:将硝酸铜、丙三醇钛、四乙氧基硅烷、丙烯酸、聚氮丙啶交联剂、三聚磷酸钠、乙醇按比例加入装有水的反应器内,在60~70℃下搅拌30~60min,然后加入自由基引发剂,搅拌反应至形成凝胶,室温下静置20~30h,然后进行脱水干燥,研磨得到粉末,然后将粉末放入煅烧炉内进行煅烧,得到CuO-TiO2-SiO2三元烧结助剂;
(2)浆料的制备:将氧化铝粉末、烧结助剂按照质量比99.6:0.4加入球磨机中,同时加入溶剂、分散剂、粘合剂、脱泡剂加入球磨机中球磨15~20h,然后送入脱泡装置内进行脱泡处理,得到流动性良好且稳定的浆料;
所述脱泡装置包括脱泡罐和真空泵,所述脱泡罐的顶部两侧分别设有进料口和抽气口,所述抽气口通过真空管与真空泵相连通,所述脱泡罐的顶部安装有驱动电机,所述驱动电机输出端固定连接有转轴,所述转轴的底端贯穿脱泡罐的顶部并与搅拌轴的顶端相铰接,所述搅拌轴通过轴承与脱泡罐底部内壁固定连接,所述搅拌轴固定连接有若干个第一搅拌单元和第二搅拌单元,所述第一搅拌单元和第二搅拌单元沿搅拌轴长度方向交替设置,所述第一搅拌单元由3~6个搅拌杆组成,所述第二搅拌单元由2~4个搅拌叶片组成,所述搅拌杆和搅拌叶片外壁固定连接有破泡刺,所述搅拌杆包括纵向搅拌杆和横向搅拌杆,所述纵向搅拌杆和横向搅拌杆固定连接,所述脱泡罐的侧壁底部设有出料口,所述出料口连接有出料管;
(3)流延成型、冲压:浆料经过流延机、冲片机处理后,得到所需形状及尺寸的生坯片;
(4)排胶:将生坯片放入排胶炉中进行排胶;
(5)烧结:将排胶后的生坯片置于烧结炉中,以1.5~2.5℃/min的速率升温至1500℃,保温10~20min后降温至1450℃,保温12~20h,冷却后取出即得996氧化铝陶瓷基板。
2.根据权利要求1所述的一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:步骤(1)中水的质量按100%计,各原料组分的添加量为:硝酸铜7~9%、丙三醇钛16~20%、四乙氧基硅烷36~42%、丙烯酸8~12%、聚氮丙啶交联剂1~3%、三聚磷酸钠0.2~0.4%、乙醇8~15%、自由基引发剂0.4~0.8%。
3.根据权利要求1所述的一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:所述自由基引发剂为过硫酸盐类引发剂。
4.根据权利要求1所述的一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:步骤(1)中煅烧温度为620~660℃。
5.根据权利要求1所述的一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:所述氧化铝粉末由平均粒径为3~5μm的α相氧化铝和平均粒径为50nm的α相氧化铝按质量比20:80~40:60混合而成。
6.根据权利要求1所述的一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:所述分散剂由聚乙烯亚胺和烷基苯磺酸钠复配而成。
7.根据权利要求1所述的一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:所述出料管之间设有脱泡部,所述脱泡部包括球形壳体和设置在球形壳体内的转动杆,所述转动杆竖直方向设置,所述转动杆外壁套接有脱泡球,所述脱泡球上设有破泡刺,当转动杆在驱动装置作用下转动时,带动脱泡球进行旋转,消除浆料中残留的气泡。
8.根据权利要求1所述的一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:所述脱泡罐的侧壁上安装有加热管,所述加热管环绕在脱泡罐上,所述脱泡罐内壁上设有温度传感器。
9.根据权利要求1所述的一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:以氧化铝粉末质量100%计,所述溶剂、分散剂、粘合剂、脱泡剂的添加量依次为180~220%、3.5~5.5%、10~15%、0.9~1.6%。
10.根据权利要求1所述的一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法,其特征在于:步骤(4)排胶的具体工艺参数为:在氮气气氛下进行第一次排胶,以1~2℃/min升温速率升温至500~580℃,保温30~50min,然后在空气气氛下进行第二次排胶,以2~4℃/min升温速率升温至210~240℃,保温100~150min。
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