[发明专利]一种光刻图形的优化方法及装置

权利要求书

1.一种光刻图形的优化方法，其特征在于，所述方法用于集成电路器件，所述集成电路的扩散层包括至少两个材料层，材料层上方设置有光刻胶图层，且所述光刻胶图层的曝光区用于光刻形成目标图形区；所述方法包括：

获取光刻图形的样本数据，所述样本数据包括所述目标图形区的第一尺寸信息以及所述至少两个材料层的材料信息；所述目标图形区覆盖所述至少两个材料层，所述第一尺寸信息包括所述目标图形区的第一图层宽度和第一图层长度，所述至少两个材料层包括第一材料层和第二材料层，且对应不同的材料反射率；

基于所述样本数据生成的第一光罩图形对所述光刻胶图层进行光刻，生成第一目标图形；所述第一光罩图形根据所述目标图形区和所述至少两个材料层的位置信息、所述第一图层宽度和所述第一图层长度设计生成，所述第一光罩图形与所述目标图形区为映射关系，所述第一目标图形的图形尺寸误差大于误差阈值，所述图形尺寸误差由材料层反射率差异产生；具体生成所述第一目标图形后分别获取位于所述第一材料层区域的第二图层宽度，以及位于所述第二材料层区域的第三图层宽度；

分别根据所述第二图层宽度以及所述第三图层宽度计算所述第一材料层的第一图形尺寸误差和所述第二材料层的第二图形尺寸误差；

基于所述第一目标图形的所述图形尺寸误差进行光学邻近OPC校正，获得矫正后的第二光罩图形，所述第二光罩图形对应的图形尺寸误差小于所述误差阈值；具体将所述第一材料层区域对应的所述第一目标图形的所述第一图层宽度、所述第二图层宽度、所述第一材料层的材料信息和所述第一图形尺寸误差输入所述OPC校正模型，所述OPC校正模型基于历史样本数据构建得到；

以所述第二图层宽度为模型输入，所述图形尺寸误差为监督，迭代训练所述OPC校正模型；

将所述第二材料层区域对应的所述第一目标图形的所述第一图层宽度、所述第三图层宽度、所述第二材料层的材料信息和所述第二图形尺寸误差输入所述OPC校正模型；

以所述第三图层宽度为模型输入，所述图形尺寸误差为监督，迭代训练所述OPC校正模型；

响应于所述OPC校正模型分别对所述第一材料层以及所述第二材料层区域输出的所述图形尺寸误差小于所述误差阈值，分别输出所述第一材料层以及所述第二材料层区域对应的第四图层宽度，并基于所述第四图层宽度生成所述第二光罩图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述第二图层宽度为模型输入，所述图形尺寸误差为监督，迭代训练所述OPC校正模型，包括：

当所述第二图层宽度小于所述第一图层宽度时，基于所述第一图形尺寸误差和所述误差阈值的差值确定第一宽度增加值；

基于所述第一宽度增加值设计中间光罩图形，并根据所述中间光罩图形进行模拟光刻，获取中间图形尺寸误差；

继续基于所述中间图形尺寸误差进行迭代输入所述OPC校正模型。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述第二图层宽度大于所述第一图层宽度时，基于所述第一图形尺寸误差和所述误差阈值的差值确定第二宽度减小值；

基于所述第二宽度减小值设计所述中间光罩图形，并根据所述中间光罩图形进行模拟光刻，获取所述中间图形尺寸误差。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述获取所述中间图形尺寸误差后，所述方法还包括：

响应于所述第一材料层区域和所述第二材料层区域对应的所述中间图形尺寸误差小于所述误差阈值，基于所述第四图层宽度对所述中间光罩图形进行调整，并生成所述第二光罩图形。