[发明专利]一种银氧化锡氧化铟交流接触器触头材料有效
| 申请号： | 202210072758.0 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114411012B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 谢云;戚双祥;黄坚松;施伟民;夏金涛;盛黄琳;邱建美 | 申请（专利权）人： | 宁波东大神乐电工合金有限公司 |
| 主分类号： | C22C5/06 | 分类号： | C22C5/06;C22C32/00;C22C1/10;H01H1/0237 |
| 代理公司： | 宁波方向同行专利商标代理事务所(普通合伙) 33497 | 代理人： | 汪建华 |
| 地址： | 315500 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 交流 接触器 材料 | ||
1.一种银氧化锡氧化铟交流接触器触头材料，其特征在于，以质量计，触头材料的配方包括银：87-92％，锡：4-8％，铟：1-5％，镁：0.005-0.3％，镍：0.05-0.5％。
2.如权利要求1所述的一种银氧化锡氧化铟交流接触器触头材料，其特征在于：以质量计，包括银：90.5-92％，锡：5-6％，铟：2.5-3.5％，镁：0.1-0.3％，镍：0.2-0.5％。
3.如权利要求1所述的一种银氧化锡氧化铟交流接触器触头材料，其特征在于：将依据配方搭配的原料以熔炼、内氧化的方式制备触头材料。
4.如权利要求3所述的一种银氧化锡氧化铟交流接触器触头材料，其特征在于：所述熔炼、内氧化的方式包括：依据配方搭配原料熔炼成合金的步骤，将合金制成的片材进行内氧化的步骤；其中内氧化步骤为分段式，首先进行低温低压氧化步骤，之后直接转入高温高压氧化步骤，低温低压氧化的温度在400-600℃，时间80-120h，压力0.8-1.0Mpa，高温高压氧化的温度在650-850℃，时间180-220h，压力1.3-1.7Mpa。
5.如权利要求4所述的一种银氧化锡氧化铟交流接触器触头材料，其特征在于：首先将合金挤压成板材，继而以热轧和冷轧的方式加工成片材，最后将热轧和冷轧后的片材继续冲裁，冲裁后得到的片材放入氧化炉进行内氧化。
6.一种银氧化锡氧化铟交流接触器触头材料，其特征在于：以质量计，包括以下组分：银：90-85％，氧化锡6-9.5％，氧化铟：2-6％，氧化镁：0.007-0.5％，氧化镍：0.07-0.7％。
7.如权利要求6所述的一种银氧化锡氧化铟交流接触器触头材料，其特征在于：以质量计，包括以下组分：银：90-88.5％，氧化锡6.0-7.5％，氧化铟：3-4％，氧化镁：0.2-0.4％，氧化镍：0.2-0.5％。
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