[发明专利]一种半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

在所述衬底上依次形成第一介质层和第一牺牲层；

移除位于所述第一区域上的所述第一介质层和所述第一牺牲层，以暴露出所述第一区域上的所述衬底；

对所述衬底进行清洗，以移除位于所述第二区域上的所述第一牺牲层，以及移除位于所述第一区域上的自然氧化层；

在所述第一区域上依次形成第一膜层和第二膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第二膜层之后，所述方法还包括：对所述第二膜层执行快速热氧化工艺，以形成第二牺牲层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述第二牺牲层之后，所述方法还包括：

移除所述第一区域的所述第二牺牲层以及移除所述第二区域上的所述第一介质层，以分别暴露出所述第一膜层和位于所述第二区域上的所述衬底；

在所述第一区域和所述第二区域上形成第二介质层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述第一膜层和所述第二区域上的所述衬底进行快速热氧化和/或快速热氮化处理，以分别在所述第一区域和所述第二区域上形成所述第二介质层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一膜层包括硅锗层，所述第二膜层包括硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一膜层和所述第二膜层是在同一薄膜沉积工艺中依次形成，且所述第一膜层的材料与所述第二膜层的材料不同。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一膜层的厚度在至之间；所述第二膜层的厚度在至之间。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度小于所述第一介质层的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用热氧化的方式形成所述第一介质层，采用原子层沉积的方式形成所述第一牺牲层。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度在至之间，所述第一牺牲层的厚度在至之间。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底还包括第三区域和第四区域；在所述衬底上依次形成第一介质层和第一牺牲层，包括：在所述第三区域和所述第四区域上依次形成所述第一介质层和所述第一牺牲层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在对所述衬底进行清洗时，所述第三区域和所述第四区域上的所述第一牺牲层被移除。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述衬底包括核心区和外围区；其中，所述第一区域和所述第二区域位于所述核心区上，所述第三区域和所述第四区域位于所述外围区上。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述第一区域和所述第二区域上形成第一介质层及第一牺牲层之前，所述方法还包括：

在所述核心区、所述外围区上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括自下而上依次堆叠的第一氧化层、氮化层及第二氧化层；

移除所述核心区、所述外围区上的所述第一氧化层、所述氮化层及所述第二氧化层。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域用于形成第一PMOS结构，所述第二区域用于形成第一NMOS结构。