[发明专利]一种快速热处理方法以及装置在审
申请号: | 202210072936.X | 申请日: | 2022-01-21 |
公开(公告)号: | CN114400183A | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 李伟;晏陶燕 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王花丽;张颖玲 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 快速 热处理 方法 以及 装置 | ||
1.一种快速热处理方法,其特征在于,包括:
提供晶圆;
对所述晶圆进行第一加热步骤,使所述晶圆升温至第一温度;
控制所述晶圆开始旋转;
维持所述第一温度持续第一预定时间;
对所述晶圆进行第二加热步骤,使所述晶圆从第一温度升温至第二温度,并维持所述第二温度持续第二预定时间;
对所述晶圆进行第三加热步骤,使所述晶圆从第二温度升温至第三温度,并维持所述第三温度持续第三预定时间。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述晶圆旋转的转速为100~300rpm/min。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述晶圆维持第三温度持续第三预定时间后,将所述晶圆降温至第四温度,并停止旋转所述晶圆。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述晶圆升温至第一温度之后,控制所述晶圆开始旋转之前,所述方法还包括:
维持所述第一温度持续第四预定时间,并在所述第四预定时间内将所述晶圆往靠近加热装置的方向移动。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括:
在维持所述第一温度的所述第四预定时间和所述第一预定时间的期间内通入惰性气体。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,
所述惰性气体的气体流量为50~150slm,所述惰性气体包括氮气、氩气或氦气中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述第一温度的范围为150~200℃,所述第二温度的范围为450~650℃,所述第三温度的范围为800~1100℃。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述提供晶圆包括将所述晶圆放置于承载台上,所述承载台呈圆环状,所述晶圆包括外围区域和内部区域,所述外围区域与所述承载台接触,所述内部区域从圆环状承载台的中间部分裸露;
采用加热装置进行加热操作,所述加热装置位于所述承载台的下方,且所述加热装置包括多个加热单元,其中,位于所述晶圆内部区域下方的加热单元的加热温度大于位于所述晶圆外围区域下方的加热单元的加热温度。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述第一预定时间为5~20s;所述第二预定时间为10~20s;所述第三预定时间为5~60s。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述晶圆升温至第一温度的升温速率为第一速率,所述晶圆从第一温度升温至第二温度的升温速率为第二速率,所述晶圆从第二温度升温至第三温度的升温速率为第三速率;其中,所述第一速率、所述第二速率和所述第三速率呈递增趋势。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,
所述第一速率的范围为15~30℃/s,所述第二速率的范围为40~80℃/s,所述第三速率的范围为100~250℃/s。
12.一种快速热处理装置,其特征在于,包括:
承载台,用于放置晶圆;
加热装置,位于所述承载台下;所述加热装置用于对所述晶圆进行第一加热步骤,使所述晶圆升温至第一温度,并维持所述第一温度持续第一预定时间;对所述晶圆进行第二加热步骤,使所述晶圆从第一温度升温至第二温度,并维持所述第二温度持续第二预定时间;对所述晶圆进行第三加热步骤,使所述晶圆从第二温度升温至第三温度,并维持所述第三温度持续第三预定时间;
旋转装置,用于当所述晶圆升温至第一温度时,控制所述晶圆开始旋转。
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