[发明专利]一种基于三维支架的细胞培养方法

权利要求书

1.一种基于三维支架的细胞培养方法，包括三维支架，其特征在于，所述三维支架包括以下重量百分比组分：聚合物91.85～98.05％和液体1.95～8.15％；

其中，所述聚合物包括以下重量百分比组分：Si28.5～37.4％、Si-OEt21～28％、Si-OH1.2～4.6％和Si-O25.6～39.4％。

2.根据权利要求1所述的一种基于三维支架的细胞培养方法，其特征在于：所述液体包括以下重量百分比组分：水1.3～4.1％、乙醇0.38～3.26％和硝酸0.04～0.19％。

3.根据权利要求1所述的一种基于三维支架的细胞培养方法，其特征在于：所述三维支架为三维结构支架。

4.根据权利要求1所述的一种基于三维支架的细胞培养方法，其特征在于：所述三维支架为网状结构。

5.一种基于三维支架的细胞培养方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将聚合物、水、乙醇和硝酸一起放入搅拌罐内进行水解缩合反应，反应时间为15～29h；

S2、然后将步骤S1中反应后的原料放入蒸发釜内，反应时间为4～8h，并通入压缩空气，蒸发过程中释放出水和乙醇；

S3、然后将步骤S2中的原料进行熟化处理，温度控制在2～6℃，并且粘度控制在40～70Pa·s；

S4、然后将步骤S3中的纺丝纤维进行纺丝切割，并通入压缩空气，质量控制在380～480mg；

S5、最后将步骤S4中的纤维敷料进行包装，并对其进行辐照灭菌，即可得到三维支架。

6.根据权利要求5所述的一种基于三维支架的细胞培养方法，其特征在于：所述步骤S1中，温度为35～41℃，搅拌转速为100～140转/分钟。

7.根据权利要求5所述的一种基于三维支架的细胞培养方法，其特征在于：所述步骤S2中，温度为52～79℃，搅拌转速为110～150转/分钟。

8.根据权利要求5所述的一种基于三维支架的细胞培养方法，其特征在于：所述步骤S2中，原料粘度为0.6～1.9Pa·s。

9.根据权利要求5所述的一种基于三维支架的细胞培养方法，其特征在于：所述步骤S4中，纺丝纤维压缩比为16～26％。

10.根据权利要求5所述的一种基于三维支架的细胞培养方法，其特征在于：所述步骤S4中，纺丝纤维密度为73～123mg/cm³。