[发明专利]一种碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路及方法

权利要求书

1.一种碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路，其特征在于，包括直流电源，所述直流电源连接逆变电路，所述逆变电路通过整流桥连接负载，所述逆变电路是由四个碳化硅碳化硅场效应晶体管组成的H桥逆变电路，每个碳化硅碳化硅场效应晶体管表面贴合热电偶，所述热电偶通过温度转换器连接ADC采集模块，所述ADC采集模块连接DSP控制器，所述DSP控制器通过脉冲宽度调制和输入/输出电路连接门级驱动电路，所述门级驱动电路连接所述的H桥逆变电路，所述门级驱动电路辅助开关Sw1和门极电阻R_g1串联构成的支路一，辅助开关Sw2和门级电阻R_g2串联构成的支路二,单独的门极电阻R_g3构成支路三，将支路一、支路二和支路三并联后一侧连接门级驱动信号，另一侧与碳化硅碳化硅场效应晶体相连。

2.根据权利要求1所述的碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路，其特征在于，所述热电偶采用PT100型热电偶。

3.根据权利要求1所述的碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路，其特征在于，所述门级驱动电路中的门级电阻R_g1,R_g2和R_g3的阻值均为15Ω。

4.一种用权利要求1-3之一所述的碳化硅场效应晶体管温度波动抑制电路进行碳化硅场效应晶体管温度波动抑制的方法，其特征在于，该方法为：

S1.采用PT100型热电偶贴合于SiC MOSFET表面，实时采集SiC MOSFET的温度T_sensor；

S2.将采集得到的SiC MOSFET实时温度通过温度转换器转换为电压信号U_T，进而通过DSP控制器的ADC采集模块；

S3.当系统处于稳定运行状态时，在DSP控制器中将此时采集的温度设置为参考温度T_ref，正常情况下辅助开关S_W1关断，S_W2导通；系统功率发生波动，当U_TT_ref时，导通驱动电路中的辅助开关S_W1，将并联的门极电阻数量调控为3个，以此降低门极电阻的总大小，减小了SiC MOSFET的开关损耗从而降低了温度T_sensor；当U_TT_ref时，关断驱动电路中的辅助开关S_W1和S_W2，将并联的门极电阻数量调控为1个，以此增加门极电阻的总大小，增加了SiC MOSFET的开关损耗从而增加了温度T_sensor。