[发明专利]一种提高甘薯固碳减排能力的栽培方法

权利要求书

1.一种提高甘薯固碳减排能力的栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：无害秸秆还田，然后垄土、翻地；

S2：施肥土壤培育，采用“三增一减”的施肥方式，具体为:增钾、增有机肥、增中微量肥、减氮，并添加新材料肥料和纳米生物质碳；

S3：进行分层施肥；

S4：甘薯苗选择；

S5：甘薯苗栽培，采用“两深一浅”和绿色栽培方式，具体为：深翻、深肥、浅栽；

S6：覆膜、培养，预留浇灌排水沟；

S7：设置太阳能黑光诱虫灯。

2.根据权利要求1所述的一种提高甘薯固碳减排能力的栽培方法，其特征在于，所述S1中，首先进行秸秆打捆收集，然后进行粉碎，用于秸秆还田。

3.根据权利要求1所述的一种提高甘薯固碳减排能力的栽培方法，其特征在于，所述S1中，翻耕或旋耕的方式进行垄土、翻地，翻耕的深度为8-12cm。

4.根据权利要求1所述的一种提高甘薯固碳减排能力的栽培方法，其特征在于，所述S2中，钾肥为30-33g/kg、有机肥为20-23g/kg、微量肥为1.8-2.1g/kg、氮肥为0.4-0.6g/kg、新材料肥料40-63g/kg、纳米生物质碳为400-500g/kg；新材料肥料为：氨基酸调节剂、保水剂、中微量肥料、微生物菌肥和硅肥料的混合物，纳米生物质碳用于固碳减排。

5.根据权利要求1所述的一种提高甘薯固碳减排能力的栽培方法，其特征在于，所述S3中，进行分层施肥，首先将钾肥、有机肥、微量肥铺设一层进行翻耕，然后在将氮肥和纳米生物质碳依次铺设，二次进行翻耕。

6.根据权利要求1所述的一种提高甘薯固碳减排能力的栽培方法，其特征在于，所述S3中，第一次施肥翻耕深度为15-20cm，第二次施肥翻耕深度为20-25cm。

7.根据权利要求1所述的一种提高甘薯固碳减排能力的栽培方法，其特征在于，所述S4中，选自甘薯品种，剪取顶端苗作为甘薯苗，剪取的甘薯苗为无毒、无病虫、健壮、薯皮光滑的甘薯苗。

8.根据权利要求1所述的一种提高甘薯固碳减排能力的栽培方法，其特征在于，所述S5中，进行土壤翻深和施肥深施后，进行甘薯苗浅栽，甘薯套种小麦草或绿肥草，甘薯苗浅栽深度为3-5cm，甘薯苗的行距为20-30cm；甘薯苗的株距为10-13cm；绿色栽培包括绿色防控、绿色施肥和绿色管理。

9.根据权利要求1所述的一种提高甘薯固碳减排能力的栽培方法，其特征在于，所述S6中，甘薯苗浅栽完成后，采用可降解生物膜进行覆膜。

10.根据权利要求1所述的一种提高甘薯固碳减排能力的栽培方法，其特征在于，所述S7中，太阳能黑光诱虫灯设置的间距为30-50m。