[发明专利]一种微型LED芯片检测结构及其制备方法

权利要求书

1.一种微型LED芯片检测结构，其特征在于，其为共负极共正极结构，其包括衬底(1)，以及从所述衬底(1)一侧依次向外延伸的U型氮化镓层(2)、N型氮化镓层(3)、发光层(4)和P型氮化镓层(5)；

所述P型氮化镓层(5)表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层(2)的第一凹槽(6)和第二凹槽(7)，

所述第一凹槽(6)外围为第一凸起(8)，所述第一凹槽(6)内圈为多个第二凸起(9)，多个所述第二凸起(9)通过第二凹槽(7)间隔；

所述P型氮化镓层(5)上具有绝缘层(10)，所述绝缘层(10)在所述第一凹槽(6)处具有第一开口(11)，所述绝缘层(10)在所述第二凸起(9)处具有第二开口(12)；

所述第一开口(11)处具有N电极层(13)，其与所述N型氮化镓层(2)接触，并从第一开口(11)处延伸至所述第一凸起(8)上；所述第二开口(12)处具有P电极层(14)，其与所述P型氮化镓层(2)接触；

所述第一凸起(8)上的N电极层(13)与所述第二凸起(9)上的P电极层(14)具有相同的水平高度；

第一凸起(8)上的N电极层(13)是连接到一起的，且多个所述第二凸起(9)上的P电极层(14)是连接到一起的。

2.根据权利要求1所述的微型LED芯片检测结构，其特征在于，所述P型氮化镓层(5)上还具有平坦导电层(15)；

所述平坦导电层(15)表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层(2)的第一凹槽(6)和第二凹槽(7)，

所述第一凹槽(6)外围为第一凸起(8)，所述第一凹槽(6)内圈为多个第二凸起(9)，多个所述第二凸起(9)通过第二凹槽(7)间隔；

所述平坦导电层(15)上具有绝缘层(10)，所述绝缘层(10)在所述第一凹槽(6)处具有第一开口(11)，所述绝缘层(10)在所述第二凸起(9)处具有第二开口(12)；

所述第一开口(11)处具有N电极层(13)，其与所述N型氮化镓层(2)接触，并从第一开口(11)处延伸至所述第一凸起(8)上；所述第二开口(12)处具有P电极层(14)，其与所述平坦导电层(15)接触；

所述第一凸起(8)上的N电极层(13)与所述第二凸起(9)上的P电极层(14)具有相同的水平高度。

3.根据权利要求2所述的微型LED芯片检测结构，其特征在于，所述平坦导电层(15)的材料为ITO材料。

4.根据权利要求1所述的微型LED芯片检测结构，其特征在于，所述第一凹槽(7)为一个，所述第二凹槽(8)为多个；形成的所述第一凸起(8)为一个，所述第二凸起(9)为多个。

5.根据权利要求1所述的微型LED芯片检测结构，其特征在于，所述第二凹槽(8)内还含有隔光体(16)。

6.根据权利要求1所述的微型LED芯片检测结构，其特征在于，所述隔光体(16)的材料为不吸收红外光的材料，选自光刻胶。

7.根据权利要求1所述的微型LED芯片检测结构，其特征在于，所述衬底(1)选自蓝宝石材料；N电极层(13)和P电极层(14)的材料为钛、镍、金锡。

8.根据权利要求1-7所述的微型LED芯片检测结构，其特征在于，在检测后通过刻蚀工艺将连接到一起的P电极层(14)断开，得到微型LED芯片。

9.一种微型LED芯片与控制基板的共晶结构，其特征在于，其包括权利要求8所述的微型LED芯片，以及控制基板；

所述控制基板包括控制基板主体以及位于所述控制基板主体上的一个控制基板负电极和多个控制基板正电极；

将N电极层(13)和控制基板负电极对位，将P电极层(14)和控制基板正电极对位，然后将微型LED芯片与控制基板利用激光共晶焊接到一起。

10.一种权利要求1-7所述的微型LED芯片检测结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)取所述衬底(1)，并在其表面依次外延U型氮化镓层(2)、N型氮化镓层(3)、发光层(4)和P型氮化镓层(5)；

(2)在所述P型氮化镓层(5)表面具有内凹形成的并深入至N型氮化镓层(2)的第一凹槽(6)和第二凹槽(7)；

(3)在所述P型氮化镓层(5)上形成绝缘层(10)；

(4)在所述绝缘层(10)位于第一凹槽(6)处开设第一开口(11)，在所述第二凸起(9)处开设第二开口(12)；

(5)形成相连的N电极层(13)和相连的P电极层(14)；

(6)直接将检测装置的探测针与相连的N电极层(13)和相连的P电极层(14)接触，实现检测。