[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，包括:

沟道层，设置在基底上；

势垒层，设置在该沟道层上；

钝化层，设置在该势垒层上；以及

接触结构，设置在该钝化层上，并且延伸穿过该钝化层和该势垒层而与该沟道层直接接触，其中该接触结构包括：

衬层；以及

金属层，位于该衬层上，其中该金属层包括金属材料以及掺杂在该金属材料中的第一添加剂，其中该第一添加剂于该金属层的重量百分浓度介于0％至2％之间。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该衬层与该沟道层、该势垒层和该钝化层直接接触。

3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该衬层包括钛(Ti)，该金属材料包括铝(Al)。

4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一添加剂包括硅(Si)、锗(Ge)和碳(C)的其中至少一者。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该金属层还包括掺杂在该金属材料中的第二添加剂，其中该第二添加剂于该金属层的重量百分浓度介于0％至1％之间。

6.如权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其中该第二添加剂包括铜(Cu)。

7.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该金属层与该钝化层、该势垒层及该沟道层由该衬层区隔开，不直接接触。

8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该衬层包括硅化钛(TiSi)、锗化钛(TiGe)、碳化钛(TiC)的其中至少一者。

9.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中该衬层还包括氮化钛(TiN)。

10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该沟道层包括氮化镓(GaN)，该势垒层包括氮化铝镓(AlGaN)，该钝化层包括氮化硅(SiN)。

11.一种高电子迁移率晶体管的制作方法，包括:

在基底上形成沟道层；

在该沟道层上形成势垒层；

在该势垒层上形成钝化层；

形成穿过该钝化层、该势垒层并且显露出部分该沟道层的开口；

沿着该开口的底面和侧壁形成衬层；以及

在该衬层上形成金属层，其中该金属层包括金属材料以及掺杂在该金属材料中的第一添加剂，其中该第一添加剂于该金属层的重量百分浓度介于0％至2％之间。

12.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，还包括：

进行回火制作工艺，其中该衬层与该第一添加剂于该回火制作工艺中反应形成金属化合物层。

13.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该金属化合物层包括硅化钛(TiSi)、锗化钛(TiGe)、碳化钛(TiC)的其中至少一者。

14.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该金属化合物层还包括氮化钛(TiN)。

15.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该回火制作工艺的温度介于摄氏450度至900度之间。

16.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该金属材料包括铝(Al)，该第一添加剂包括硅(Si)、锗(Ge)、碳(C)的其中至少一者。

17.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管的制作方法，其中该金属层还包括掺杂在该金属材料中的第二添加剂，其中该第二添加剂于该金属层的重量百分浓度介于0％至1％之间。