[发明专利]硼掺杂选择性发射极、制备方法及N型太阳能电池

权利要求书

1.一种硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，包括：

对N型硅片进行预处理；

在预处理后的N型硅片的正面，以低压气相沉积的方式制备硼掺杂多晶硅层，得到半成品；

对半成品依次进行激光掺杂与退火，得到硼掺杂选择性发射极；

其中，所述硼掺杂多晶硅层包括硅沉积层与硼沉积层，所述硅沉积层与所述硼沉积层呈叠层分布。

2.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，在制备所述硼掺杂多晶硅层之前，还包括：

采用干法氧化工艺，在N型硅片的正面制备隧穿氧化层。

3.根据权利要求2所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述采用干法氧化工艺，在N型硅片的正面制备隧穿氧化层的步骤，包括：

对N型硅片所在的真空环境通入第一质量流量的氧气，在第一温度与第一压力条件下，对N型硅片氧化处理第一时长，以在N型硅片的正面制备第一厚度的隧穿氧化层。

4.根据权利要求3所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述第一温度为500～600℃，所述第一质量流量为5～40slm，所述第一压力为一个标准大气压，所述第一时长为5～20min，所述第一厚度为1～2nm。

5.根据权利要求2至4任一所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述在N型硅片的正面以气相沉积的方式制备硼掺杂多晶硅层的步骤包括：

第一沉积步骤，对N型硅片所在的真空环境通入第二质量流量的硅源，在第二温度与第二压力条件下，在N型硅片上进行第一硅沉积层的气相沉积，控制沉积时间为第二时长；

第二沉积步骤，对N型硅片所在的真空环境通入第三质量流量的硼源，在第二温度与第三压力条件下，在第一硅沉积层上进行硼沉积层的气相沉积，控制沉积时间为第三时长；

第三沉积步骤，对N型硅片所在的真空环境通入第四质量流量的硅源，在第二温度与第四压力条件下，在硼沉积层上进行第二硅沉积层的气相沉积，控制沉积时间为第四时长。

6.根据权利要求5所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，按照所述第一沉积步骤至所述第三沉积步骤的工艺操作顺序，进行至少一次工艺循环。

7.根据权利要求5所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述第二质量流量为300～1200sccm，所述第二压力为70～300mtorr，所述第二时长为2～20min；

和/或，所述第三质量流量为200～1000sccm，所述第三压力为50～150mtorr，所述第三时长为1～10min；

和/或，所述第四质量流量为300～1200sccm，所述第四压力为70～300mtorr，所述第四时长为2～20min。

8.根据权利要求2至4任一所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，采用低压化学气相沉积炉在N型硅片的正面以低压气相沉积的方式制备硼掺杂多晶硅层；

在对N型硅片进行低压气相沉积之前，还包括：

对所述低压化学气相沉积炉进行抽真空和吹扫，排除所述低压化学气相沉积炉内的氧气；

对所述低压化学气相沉积炉进行气密性检测；

将所述低压化学气相沉积炉预先加热至第二温度，控制加热时间为第五时长。

9.一种硼掺杂选择性发射极，其特征在于，所述硼掺杂选择性发射极采用如权利要求1至8任一所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法制备而成。

10.一种N型太阳能电池，其特征在于，包括如权利要求9所述的硼掺杂选择性发射极。