[发明专利]一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法

权利要求书

1.一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法，其特征在于，具体步骤为：

（1）采用物理或化学方法，在铌酸锂表面制备一层易扩散的金属钝化膜，厚度1-200nm，在100-500℃温度范围内保温1-600min；

（2）再在铌酸锂表面沉积一层与CMOS工艺兼容的硬质掩膜，并采用微电子工艺将硬质掩膜刻蚀成所需要的纳米图形；

（3）采用物理或化学方法，在以上纳米图形化的待刻蚀铌酸锂表面制备一层活性金属膜，厚度为5-1000nm；对于刻蚀深度较浅，可以不沉积以上金属薄膜；

（4）将以上覆盖或没有覆盖活性金属膜的铌酸锂放在还原气氛下退火5-600min，退火温度100-600℃；

（5）退火结束后，采用酸碱腐蚀溶液除去铌酸锂表层覆盖物，包括与铌酸锂未发生化学反应的金属膜、已反应的金属所生成的氧化膜、铌酸锂表层与金属覆盖物处所生成的化合物，得到所需的刻蚀图形；

（6）多次重复步骤（3）~（5），铌酸锂纳米图形刻蚀深度随重复次数加深，直至符合要求为止。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤（1）中所述金属钝化膜的材料选自Cu、Fe、Co、Ir、Pt、Ru、Ag、Al、Cr、Ti、Ni、Zr、Y。

3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤（2）中所述硬质掩膜的材料选自氧化硅、氮化硅、氮化钛。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤（3）中所述活性金属膜材料选自Zn、Al、Mg、Ti、Fe、Ca、Cu、K、Li、P。

5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤（4）中所述还原性气氛选自氢气、一氧化碳及其与其他气体的混合物。

6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤（5）中所述酸碱腐蚀溶液选自盐酸、硝酸、硫酸、氢氟酸、氨水、氢氧化钠、氢氧化钾。

7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述铌酸锂种类是铌酸锂单晶或薄膜，或掺杂铌酸锂；铌酸锂晶向包括：X切、Z切、Y切及其斜切晶体。