[发明专利]一种薄款转接导电结构

权利要求书

1.一种薄款转接导电结构，其特征是，包括：

转接结构（1），其用于一进多出的分线，转接结构（1）通过导电结构（4）连接；

导电结构（4），其用于与火零地三芯线对应连接，导电结构（4）设置在转接结构（1）内部，所述的导电结构（4）包括若干金属针（4.2）和若干用于连接金属针（4.2）的连接件（4.1），所述的金属针（4.2）上设有若干连接孔（9），所述的连接件（4.1）与连接孔（9）适配。

2.根据权利要求1所述的的一种薄款转接导电结构，其特征是，所述的金属针（4.2）包括用于连接进线的第一金属针（4.2.1）和用于连接出线的第二金属针（4.2.2）。

3.根据权利要求1所述的的一种薄款转接导电结构，其特征是，所述的导电结构（4）外设有与导电结构（4）适配的薄款转接壳（3），所述的转接结构（1）固定在薄款转接壳（3）上，所述的薄款转接壳（3）上设有若干用于与插头卡接的卡接件（5）。

4.根据权利要求3所述的的一种薄款转接导电结构，其特征是，所述的卡接件（5）包括限位块（5.1）和若干凸块（5.2），所述的设置在同一卡接件（5）上的凸块（5.2）通过限位块（5.1）连接在一起，所述的凸块（5.2）一端固定在薄款转接壳（3）上，另一端设有用于与插头卡接的弹性结构（6）。

5.根据权利要求4所述的的一种薄款转接导电结构，其特征是，所述的导电结构（4）与薄款转接壳（3）之间设有中间加强板（7），所述的中间加强板（7）与薄款转接壳（3）卡接。

6.根据权利要求5所述的的一种薄款转接导电结构，其特征是，所述的中间加强板（7）底部设有若干与连接件（4.1）适配的凹槽（8），所述的中间加强板（7）内嵌设有用于减振的减振器（15）。

7.根据权利要求3所述的的一种薄款转接导电结构，其特征是，所述的薄款转接壳（3）包括前盖（3.1）和后盖（3.2），所述的前盖（3.1）一体成型，所述的后盖（3.2）一体成型，所述的前盖（3.1）和后盖（3.2）通过超声波焊接。

8.根据权利要求3或4或5或6或7所述的的一种薄款转接导电结构，其特征是，所述的薄款转接壳（3）上设有用于与金属盒连接的固定件（10）。

9.根据权利要求6所述的的一种薄款转接导电结构，其特征是，所述的减振器（15）包括活塞筒（16）、活塞（17）和活塞杆（18），所述的活塞杆（18）的一端连接活塞（17），活塞杆（18）的另一端与活塞筒（16）的端口滑动连接。

10.根据权利要求9所述的的一种薄款转接导电结构，其特征是，所述的活塞杆（18）带动活塞（17）在活塞筒（16）内往复运动，所述的活塞筒（16）内设有油液，所述的活塞（17）上设有若干用于通过油液的通孔，所述的减振器（15）上设有用于减振降噪的弹性体，所述的弹性体套设在活塞筒（16）外。