[发明专利]一种巨介电常数、低介电损耗陶瓷及其制备方法在审
申请号: | 202210081121.8 | 申请日: | 2022-01-24 |
公开(公告)号: | CN114436643A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 成鹏飞;王丹 | 申请(专利权)人: | 西安工程大学 |
主分类号: | C04B35/462 | 分类号: | C04B35/462;C04B35/622;C04B35/64 |
代理公司: | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人: | 翁松青 |
地址: | 710048 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介电常数 低介电 损耗 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种巨介电常数、低介电损耗陶瓷材料,其特征在于,由CaCu3Ti4O12和Nb2O5组成,化学组成为CaCu3Ti4-xNbxO12,其中0≤x≤0.08,预烧条件为950℃保温15h,排胶条件为600℃保温1h,烧结条件为1120℃保温20h。
2.一种巨介电常数、低介电损耗陶瓷的制备方法,其特征在于,具体步骤为:在空气气氛下,以CaCO3、CuO、TiO2为原料,以Nb2O5作为添加剂,采用固相反应工艺,通过混料、预烧、成型、排胶、烧结工艺流程,即可获得巨介电常数、低介电损耗陶瓷材料CaCu3Ti4-xNbxO12。
3.根据权利要求2所述的巨介电常数、低介电损耗陶瓷的制备方法,其特征在于,预烧条件为以200℃/h的升温速率从室温升至950℃后保温15h。
4.根据权利要求1所述的巨介电常数、低介电损耗陶瓷的制备方法,其特征在于,排胶条件为600℃保温1h。
5.根据权利要求2所述的巨介电常数、低介电损耗陶瓷的制备方法,其特征在于,其特征在于,烧结条件为以200℃/h升温速率从室温升至1000℃,以600℃/h的升温速率升至1100~1120℃,保温20h,然后随炉冷却。
6.根据权利要求2所述的巨介电常数、低介电损耗陶瓷的制备方法,其特征在于,其特征在于,具体步骤为:用固相反应法在1120℃保温20h制备组分和质量百分比含量为CaCu3Ti3.99Nb0.01O12的陶瓷材料,将纯度为99.0%的CaCO3粉末、CuO粉末、TiO2粉末、Nb2O5粉末按一定的摩尔比混合,放入玛瑙球磨罐中湿法球磨,以无水乙醇为球磨介质,使用行星球磨机以360r/min球磨12h,球磨后的浆料在烘箱中70℃烘干,然后将烘干后的粉料置于烧结炉内于950℃进行预烧,预烧后的烧块二次球磨、烘干,加入等质量的PVA粘合剂(2wt%)造粒、研磨,将粒径在60目与100目之间的颗粒陈腐24h,使用粉末压片机在约10MPa压强下将陈腐后的颗粒干压成直径约12mm,厚度约2mm的圆柱形生坯,将生坯置于烧结炉内于600℃进行排胶处理,排胶处理后的生坯再置入烧结炉内于1120℃烧结20h,获得CCTO陶瓷体。
7.根据权利要求6所述的巨介电常数、低介电损耗陶瓷的制备方法,其特征在于,其特征在于,按质量比原料∶玛瑙球∶无水乙醇=1∶1~3∶0.8~1.2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安工程大学,未经西安工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210081121.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。