[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

相对设置的硅基板和透明基板，所述硅基板面向所述透明基板的一侧表面周侧设置有第一电极，所述透明基板面向所述硅基板的一侧表面周侧设置有第二电极；所述第一电极与所述第二电极电连接；

转接载板，所述转接载板在位于所述硅基板至少一边的远离所述硅基板的区域中设置有引线电极；所述引线电极与所述第二电极电连接，并将所述第二电极的电信号引至所述转接载板远离所述硅基板的一侧表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述硅基板呈方形，所述转接载板设置在所述硅基板的至少一组对边的外侧区域。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述转接载板位于所述硅基板下方的区域中设置有散热金属层。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述硅基板与所述散热金属层之间设置有散热膏层。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述转接载板远离所述硅基板的一侧表面设置有散热鳍片，所述散热鳍片位于所述散热金属层的下方区域。

6.如权利要求1至5任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述透明基板与所述转接载板的接缝处周圈设置有保护胶或金属密封膜层。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述转接载板中在所述引线电极远离所述硅基板的一侧设置有虚拟焊垫，所述虚拟焊垫与所述引线电极绝缘，所述金属密封膜层形成在所述虚拟焊垫上。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述透明基板面向所述硅基板的一侧表面还设置有ITO电极层，所述ITO电极层与所述第二电极电连接，所述ITO电极层与所述硅基板之间设置有液晶层。

9.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供相对设置的硅基板和透明基板，所述硅基板面向所述透明基板的一侧表面周侧设置有第一电极，所述透明基板面向所述硅基板的一侧表面周侧设置有第二电极；所述第一电极与所述第二电极电连接；

提供转接载板，所述转接载板在位于所述硅基板至少一边的远离所述硅基板的区域中设置有引线电极；所述引线电极与所述第二电极电连接，并将所述第二电极的电信号引至所述转接载板远离所述硅基板的一侧表面。

10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述硅基板为LCOS硅基板时，提供相对设置的硅基板和透明基板具体包括：

提供硅晶圆，所述硅晶圆的上方形成有液晶层，所述硅晶圆的上表面间隔嵌设有所述第一电极；提供透明基板晶圆，所述透明基板晶圆面向所述硅晶圆的一侧表面形成有电连接的ITO电极层和所述第二电极；

在所述第二电极与所述第一电极对接处设置导电胶，将所述硅晶圆与所述透明基板晶圆热压合，所述第二电极与所述第一电极通过所述导电胶电连接；

对所述硅晶圆划片形成沟槽，所述沟槽贯穿硅晶圆和所述导电胶，并暴露出所述第二电极；

对所述透明基板晶圆划片。