[发明专利]基于LLC电路的升压电路的控制方法和控制装置有效

专利信息
申请号: 202210083120.7 申请日: 2022-01-25
公开(公告)号: CN114123801B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 朱哲;陈岩;杨锡旺;付瑜 申请(专利权)人: 常州索维尔电子科技有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M1/088
代理公司: 北京智丞瀚方知识产权代理有限公司 11810 代理人: 周学永
地址: 213300 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 llc 电路 升压 控制 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种基于LLC电路的升压电路的控制方法,其特征在于:所述升压电路包括原边、变压器、副边以及控制器;其中,所述原边为全桥电路,包括直流输入源,MOS晶体管Q2A、Q2B组成的第一桥臂开关管,MOS晶体管Q3A、Q3B组成的第二桥臂开关管,由谐振电容、谐振电感、励磁电感组成的LLC谐振槽;所述变压器中设有中心抽头;所述副边为包括MOS晶体管Q4A、Q5A、输出滤波电容组成的整流电路;

所述基于LLC电路的升压电路的控制方法包括:

当所述LLC电路反向运行且处于Boost区间时,在一个周期的上半周期,所述控制器向原边的MOS晶体管Q2B发送触发电压,所述触发电压的发送时刻比该周期起始时刻延后10个时间单位,并当控制器向原边MOS晶体管Q2B发送触发电压的时刻起12个时间单位后,所述控制器向副边的MOS晶体管Q4A发送触发电压;

在该周期的下半周期,所述控制器向原边的MOS晶体管Q3A发送触发电压;当控制器向原边MOS晶体管Q3A发送触发电压后,所述控制器向副边的MOS晶体管Q5A发送触发电压;向原边MOS晶体管Q3A发送的触发电压提前于向副边的MOS晶体管Q5A发送的触发电压;

其中,所述时间单位的定义为:每一个时间单位为1/60微秒。

2.根据权利要求1所述的基于LLC电路的升压电路的控制方法,其特征在于,所述控制器向所述副边MOS晶体管Q4A以及Q5A按照百分之五十的占空比发送触发电压。

3.根据权利要求2所述的基于LLC电路的升压电路的控制方法,其特征在于,所述控制器还用于根据所述原边中MOS晶体管的导通情况以及所述副边中MOS晶体管的导通情况确定增益曲线。

4.一种基于LLC电路的升压电路的控制装置,其特征在于:

所述控制装置包括发送模块;

所述升压电路包括原边、变压器、副边以及控制器;其中,所述原边为全桥电路,包括直流输入源,MOS晶体管Q2A、Q2B组成的第一桥臂开关管,MOS晶体管Q3A、Q3B组成的第二桥臂开关管,由谐振电容、谐振电感、励磁电感组成的LLC谐振槽;所述变压器中设有中心抽头;所述副边为包括MOS晶体管Q4A、Q5A、输出滤波电容组成的整流电路;

所述发送模块用于向LLC电路的升压电路中的MOS晶体管发送触发电压;

触发电压的发送方法为:当所述LLC电路反向运行且处于Boost区间时,在一个周期的上半周期,所述控制器向原边的MOS晶体管Q2B发送触发电压,所述触发电压的发送时刻比该周期起始时刻延后10个时间单位,并当控制器向原边MOS晶体管Q2B发送触发电压的时刻起12个时间单位后,所述控制器向副边的MOS晶体管Q4A发送触发电压;

在该周期的下半周期,所述控制器向原边的MOS晶体管Q3A发送触发电压;当控制器向原边MOS晶体管Q3A发送触发电压后,所述控制器向副边的MOS晶体管Q5A发送触发电压;向原边MOS晶体管Q3A发送的触发电压提前于向副边的MOS晶体管Q5A发送的触发电压;

其中,所述时间单位的定义为:每一个时间单位为1/60微秒。

5.根据权利要求4所述的控制装置,其特征在于,所述发送模块按照百分之五十的占空比向所述MOS晶体管Q4A以及Q5A发送触发电压。

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