[发明专利]基于LLC电路的升压电路的控制方法和控制装置有效
申请号: | 202210083120.7 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN114123801B | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
发明(设计)人: | 朱哲;陈岩;杨锡旺;付瑜 | 申请(专利权)人: | 常州索维尔电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335;H02M1/088 |
代理公司: | 北京智丞瀚方知识产权代理有限公司 11810 | 代理人: | 周学永 |
地址: | 213300 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 llc 电路 升压 控制 方法 装置 | ||
1.一种基于LLC电路的升压电路的控制方法,其特征在于:所述升压电路包括原边、变压器、副边以及控制器;其中,所述原边为全桥电路,包括直流输入源,MOS晶体管Q2A、Q2B组成的第一桥臂开关管,MOS晶体管Q3A、Q3B组成的第二桥臂开关管,由谐振电容、谐振电感、励磁电感组成的LLC谐振槽;所述变压器中设有中心抽头;所述副边为包括MOS晶体管Q4A、Q5A、输出滤波电容组成的整流电路;
所述基于LLC电路的升压电路的控制方法包括:
当所述LLC电路反向运行且处于Boost区间时,在一个周期的上半周期,所述控制器向原边的MOS晶体管Q2B发送触发电压,所述触发电压的发送时刻比该周期起始时刻延后10个时间单位,并当控制器向原边MOS晶体管Q2B发送触发电压的时刻起12个时间单位后,所述控制器向副边的MOS晶体管Q4A发送触发电压;
在该周期的下半周期,所述控制器向原边的MOS晶体管Q3A发送触发电压;当控制器向原边MOS晶体管Q3A发送触发电压后,所述控制器向副边的MOS晶体管Q5A发送触发电压;向原边MOS晶体管Q3A发送的触发电压提前于向副边的MOS晶体管Q5A发送的触发电压;
其中,所述时间单位的定义为:每一个时间单位为1/60微秒。
2.根据权利要求1所述的基于LLC电路的升压电路的控制方法,其特征在于,所述控制器向所述副边MOS晶体管Q4A以及Q5A按照百分之五十的占空比发送触发电压。
3.根据权利要求2所述的基于LLC电路的升压电路的控制方法,其特征在于,所述控制器还用于根据所述原边中MOS晶体管的导通情况以及所述副边中MOS晶体管的导通情况确定增益曲线。
4.一种基于LLC电路的升压电路的控制装置,其特征在于:
所述控制装置包括发送模块;
所述升压电路包括原边、变压器、副边以及控制器;其中,所述原边为全桥电路,包括直流输入源,MOS晶体管Q2A、Q2B组成的第一桥臂开关管,MOS晶体管Q3A、Q3B组成的第二桥臂开关管,由谐振电容、谐振电感、励磁电感组成的LLC谐振槽;所述变压器中设有中心抽头;所述副边为包括MOS晶体管Q4A、Q5A、输出滤波电容组成的整流电路;
所述发送模块用于向LLC电路的升压电路中的MOS晶体管发送触发电压;
触发电压的发送方法为:当所述LLC电路反向运行且处于Boost区间时,在一个周期的上半周期,所述控制器向原边的MOS晶体管Q2B发送触发电压,所述触发电压的发送时刻比该周期起始时刻延后10个时间单位,并当控制器向原边MOS晶体管Q2B发送触发电压的时刻起12个时间单位后,所述控制器向副边的MOS晶体管Q4A发送触发电压;
在该周期的下半周期,所述控制器向原边的MOS晶体管Q3A发送触发电压;当控制器向原边MOS晶体管Q3A发送触发电压后,所述控制器向副边的MOS晶体管Q5A发送触发电压;向原边MOS晶体管Q3A发送的触发电压提前于向副边的MOS晶体管Q5A发送的触发电压;
其中,所述时间单位的定义为:每一个时间单位为1/60微秒。
5.根据权利要求4所述的控制装置,其特征在于,所述发送模块按照百分之五十的占空比向所述MOS晶体管Q4A以及Q5A发送触发电压。
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