[发明专利]具有掺杂剂延伸部的微电子装置及相关方法及系统

权利要求书

1.一种微电子装置，其包括：

堆叠结构，其包括按层级布置的绝缘结构及导电结构的垂直交替序列；

至少一个支柱，其延伸穿过所述堆叠结构，所述至少一个支柱包括通道材料；及

源极区，其在所述堆叠结构下方，所述源极区包括掺杂材料，所述掺杂材料的垂直延伸部在所述堆叠结构内的一标高处向上突出到与所述通道材料的界面。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述掺杂材料的所述垂直延伸部在标高上横向重叠所述堆叠结构的所述导电结构的最下导电结构的至少一部分。

3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述掺杂材料的所述垂直延伸部突出到的所述标高处于或高于所述堆叠结构的所述导电结构的最下导电结构的最下表面下方约10nm的标高。

4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述至少一个支柱进一步包括所述至少一个支柱的核心处的绝缘材料，所述通道材料在所述掺杂材料的所述垂直延伸部突出到的所述标高上方横向包围所述绝缘材料。

5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述至少一个支柱进一步包括在所述掺杂材料的所述垂直延伸部突出到的所述标高上方横向包围所述通道材料的单元材料。

6.根据权利要求5所述的微电子装置，其中所述通道材料相对于所述单元材料中的至少一者垂直凹入。

7.根据权利要求5所述的微电子装置，其中所述源极区的所述掺杂材料横向延伸穿过所述单元材料及所述通道材料。

8.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述通道材料包括所述至少一个支柱的绝缘核心下方的下部。

9.根据权利要求8所述的微电子装置，其中所述至少一个支柱的所述通道材料进一步包括通过所述掺杂材料与所述下部垂直间隔的上部。

10.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述源极区的所述掺杂材料进一步包括向下突出的所述掺杂材料的下垂直延伸部。

11.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述掺杂材料的所述垂直延伸部的高度大于所述堆叠结构的所述绝缘结构的最下绝缘结构的厚度。

12.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述掺杂材料的所述垂直延伸部突出到的所述标高约等于所述堆叠结构的所述导电结构的最下导电结构的上表面的标高。

13.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述掺杂材料的所述垂直延伸部横向重叠最下导电结构及所述堆叠结构的所述导电结构的另一导电结构的至少一部分。

14.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：

在基底结构上形成牺牲材料堆叠；

在所述牺牲材料堆叠上形成包括按层级布置的绝缘结构及其它结构的垂直交替序列的分层堆叠结构；

形成穿过所述分层堆叠结构、穿过所述牺牲材料堆叠且到所述基底结构中的支柱开口；

在所述支柱开口中形成单元材料、通道材料及绝缘核心材料；

形成穿过所述分层堆叠结构且至少部分穿过所述牺牲材料堆叠的狭缝；

选择性移除所述牺牲材料、所述牺牲材料堆叠中的至少一者以暴露形成于所述支柱开口中的至少一种单元材料；

形成穿过所述单元材料的横向开口以暴露所述横向开口中的所述通道材料的部分；

使所述通道材料凹入以形成突出到所述堆叠结构内的标高的垂直凹部；及

在所述垂直凹部中形成掺杂材料。