[发明专利]一种多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜，包括聚环氧乙烷基质以及分散在所述聚环氧乙烷基质中的多孔二维F-Ce纳米片。

2.根据权利要求1所述的多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜，其特征在于，所述多孔二维F-Ce纳米片以F-Ce单原子为主层，乙酸根为层间物；所述多孔二维F-Ce纳米片的层间距为0.33～0.36nm；所述多孔二维F-Ce纳米片的平均孔径为0.1～10nm。

3.根据权利要求1所述的多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜，其特征在于，所述多孔二维F-Ce纳米片的平均横向尺寸为140～190nm。

4.根据权利要求1所述的多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜，其特征在于，所述多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜的厚度为80～220μm。

5.根据权利要求1所述的多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜，其特征在于，所述多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜的形式为平板膜、中空纤维膜或管式膜。

6.权利要求1～5任一项所述多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜的制备方法，包括以下步骤：

将聚环氧乙烷预聚物、多孔二维F-Ce纳米片分散液、引发剂和溶剂混合，得到混合分散液；

将所述混合分散液置于两块石英板之间，进行光固化，得到多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述聚环氧乙烷预聚物包括聚乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇甲基醚丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、双酚A乙氧基化物二丙烯酸酯、四乙基乙二醇二甲基丙烯酸乙酯和聚乙二醇二甲基丙烯酸酯中的一种或多种。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述聚环氧乙烷预聚物和多孔二维F-Ce纳米片分散液中的多孔二维F-Ce纳米片的质量比为1：0.005～0.08。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述光固化为紫外光固化。

10.权利要求1～5任一项所述多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜或权利要求6～9任一项所述制备方法制备得到的多孔二维氟-铈纳米材料混合基质膜在CO₂气体分离中的应用。