[发明专利]一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器有效
申请号: | 202210084463.5 | 申请日: | 2022-01-24 |
公开(公告)号: | CN114448408B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 陈万军;邢鹏程;刘超;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03K17/72 | 分类号: | H03K17/72;H02H3/087 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 孙一峰 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 阴极 短路 晶闸管 直流 固态 断路器 | ||
本发明属于电子技术领域,具体的说涉及一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器。本发明包括由直流电源Vsubgt;D/subgt;、第一CS‑MCT(Tsubgt;1/subgt;)、负载(Zsubgt;L/subgt;)构成的主回路、由第二CS‑MCT(Tsubgt;2/subgt;),第一电容(Csubgt;1/subgt;)和第二电容(Csubgt;2/subgt;),变压器(T),电阻(R),二极管(D)构成的换流回路、由压敏电阻(MOV)构成的保护单元、由霍尔电流传感器和电压比较器构成的监测单元和栅极控制单元。其特点是:采用内部固有寄生晶闸管,具有低导通电阻、高di/dt能力的CS‑MCT作为半导体开关,结合监测单元和栅极控制单元可以实现故障电流的迅速中断。与传统固态断路器相比,基于CS‑MCT的固态短路器不仅具有中断故障电流的能力,而且具有功耗低,响应速度快的优势。
技术领域
本发明属于半导体技术领域,具体而言为一种基于阴极短路栅控晶闸管(Cathode-Short MOS-Controlled Thyristor,简称:CS-MCT)的直流固态断路器。
背景技术
近年来随着经济和技术的发展,分布式微电网以及直流数据中心等新兴领域发展迅速,相应的,直流输(配)电网络也愈发受到重视。相较于传统交流输(配)电网络,其不仅能量效率高而且可靠性更好,但由于直流输(配)电网络系统阻抗小,一旦发生短路故障,其故障电流会急剧上升,易对整个系统造成不可逆的损害。同时,相较于传统交流输(配)电网络,直流输(配)电网络没有电压过零点,这对直流断路器提出了更高的要求。传统的机械式断路器(Mechanical Circuit Breaker,MCB)在中断故障的过程中的脱扣动作会产生电弧,导致接触电极被烧蚀,工作寿命较短;同时,MCB响应时间较长,一般为几十到几百毫秒,难以满足直流应用下的故障中断速度要求;另外,MCB在一次保护动作完成后需要人工对其进行复位操作,不仅不利于运营成本控制,而且使得输(配)电网络的智能化管理难以实现。因此,基于功率半导体器件的固态断路器(Solid State Circuit Breaker,SSCB)以其较短的故障响应时间、更长的使用寿命及易于智能控制的优点而备受瞩目。
虽然SSCB有上述优点,但相较于MCB,SSCB由于其导通压降较大,能量损耗大于MCB。现如今市场主流SSCB大多是以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为开关器件,但由于IGBT在导通时发射极侧存在反偏PN结,导通压降较大。另外,市场上也有部分SSCB以低导通压降的晶闸管(SCR)作为开关器件。但出于晶闸管是流控型器件的原因,其驱动和保护电路的设计复杂而且经济性较差。近年来,以SiC和GaN为代表的宽禁带功率半导体器件因其本身的优良性能而被作为SSCB应用的良好选择,但出于技术成熟度及经济性上的考量,在未来一段时间硅基功率器件仍然会是SSCB应用的主流选择。
上述因素均制约了直流输(配)电网络的发展。
发明内容
本发明旨在提出一种基于阴极短路栅控晶闸管(CS-MCT)的直流固态断路器,以解决上述问题。CS-MCT因其固有的的阴极短路晶闸管结构,而拥有较低的导通压降,使以其为核心开发的SSCB功耗较低。本发明利用驱动简单、导通功耗低、可靠性高、经济性好的硅基压控功率器件,并配以结构简单的断路器拓扑与驱动策略,实现了一种小体积、低功耗、低成本、快速响应的直流固态断路器。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
本发明提供一种基于CS-MCT的直流固态断路器,断路器的拓扑结构如图1;包括直流电源VD、第一CS-MCTT1、负载ZL、第二CS-MCTT2、第一电容C1、第二电容C2、变压器T、电阻R、二极管D、压敏电阻MOV、霍尔电流传感器和电压比较器;
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