[发明专利]一种可切换正负极的肖特基二极管有效

专利信息
申请号: 202210086813.1 申请日: 2022-01-25
公开(公告)号: CN114497235B 公开(公告)日: 2022-10-14
发明(设计)人: 周勇 申请(专利权)人: 先之科半导体科技(东莞)有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L23/367;H01L23/498;H01L29/40
代理公司: 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 代理人: 何新华
地址: 523430 广东省东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 切换 负极 肖特基 二极管
【说明书】:

发明提供了一种可切换正负极的肖特基二极管,包括绝缘塑封体,所述绝缘塑封体内设有第一肖特基芯片、第二肖特基芯片,所述第一肖特基芯片与所述第二肖特基芯片相对的两个面极性相同;所述第一肖特基芯片与所述第二肖特基芯片之间连接有导电模块,所述导电模块上端连接有第一接触部、第二接触部;所述绝缘塑封体上设有开关模块;所述第一导电脚与所述第一接触部通电时,所述第二导电脚与所述第二接触部断电;所述第二导电脚与所述第二接触部通电时,所述第一导电脚与所述第一接触部断电。本发明的肖特基二极管,能够轻易地转换肖特基二极管的正负极,结构简单,操作难度低。

技术领域

本发明涉及二极管技术领域,具体涉及一种可切换正负极的肖特基二极管。

背景技术

肖特基整流管是以贵金属金、银、铝、铂等A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。

现有技术的肖特基二极管,通常包括肖特基芯片、塑封外壳、正极导电脚、负极导电脚,生产时,先将正极导电脚、负极导电脚分别与肖特基芯片的正负极两端焊接,在制作塑封外壳。在实际应用中,由于工人或操作失误等原因,容易将正极导电脚、负极导电脚的位置焊反,为了纠正焊反问题,常规的手段是将焊锡刮除,纠正位置后再重新焊接,操作难度大,消耗时间长。

发明内容

针对以上问题,本发明提供一种可切换正负极的肖特基二极管,能够轻易地转换肖特基二极管的正负极,结构简单,操作难度低。

为实现上述目的,本发明通过以下技术方案来解决:

一种可切换正负极的肖特基二极管,包括绝缘塑封体,所述绝缘塑封体内设有第一肖特基芯片、第二肖特基芯片,所述第一肖特基芯片与所述第二肖特基芯片相对的两个面极性相同,所述第一肖特基芯片远离所述第二肖特基芯片一端连接有第一导电脚,所述第二肖特基芯片远离所述第一肖特基芯片一端连接有第二导电脚;

所述第一肖特基芯片与所述第二肖特基芯片之间连接有导电模块,所述导电模块靠向所述第一肖特基芯片一侧上端连接有第一接触部,所述导电模块靠向所述第二肖特基芯片一侧上端连接有第二接触部;

所述绝缘塑封体上设有用于控制所述第一导电脚与所述第一接触部通断电以及所述第一导电脚与所述第二接触部通断电的开关模块;

所述第一导电脚与所述第一接触部通电时,所述第二导电脚与所述第二接触部断电;

所述第二导电脚与所述第二接触部通电时,所述第一导电脚与所述第一接触部断电。

具体的,所述开关模块为双触点式开关,所述开关模块下端两侧分别设有第一导电弹片、第二导电弹片,所述第一导电弹片位于所述第一导电脚与所述第一接触部上侧,所述第二导电弹片位于所述第二导电脚与所述第二接触部上侧,所述绝缘塑封体上形成与供所述开关模块容置的安装槽。

具体的,所述开关模块为单触点式开关,所述开关模块包括第一开关、第二开关,第一开关位于所述第一导电脚与所述第一接触部上侧,第二开关位于所述第二导电脚与所述第二接触部上侧。

具体的,所述导电模块为U形导电板或T形导电板。

具体的,所述绝缘塑封体底部还设有散热片,所述散热片为向上拱起的结构,使其底部形成一个散热槽。

具体的,所述第一肖特基芯片与所述第一导电脚、导电模块之间通过锡膏连接,所述第二肖特基芯片与所述第二导电脚、导电模块之间通过所述锡膏连接。

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