[发明专利]一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构在审

专利信息
申请号: 202210087366.1 申请日: 2022-01-25
公开(公告)号: CN114496958A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 汤姝莉;赵国良;邵领会;张健;薛亚慧 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/488
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 房鑫
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 硅基板 倒装 芯片 组件 结构
【权利要求书】:

1.一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构,其特征在于,包括,

多个倒装焊芯片(1),多个硅基板(2),管壳(3),凸点(4)和焊球(5);所述倒装焊芯片(1)设置在硅基板(2)上,所述硅基板(2)设置在管壳(3)上;所述凸点(4)设置在倒装焊芯片(1)与硅基板(2)之间;所述倒装焊芯片(1)与硅基板(2)通过凸点(4)连接;所述焊球(5)设置在硅基板(2)与管壳(3)之间;所述硅基板(2)与管壳(3)通过焊球(5)连接。

2.根据权利要求1所述一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构,其特征在于,所述凸点(4)采用阵列形式排布,相邻两个凸点(4)的球心间距不小于凸点(4)直径的1.6倍,所述凸点(4)为直径为Φ60μm~Φ100μm。

3.根据权利要求1所述一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构,其特征在于,所述焊球(5)采用阵列形式排布,相邻两个焊球(5)的球心间距不小于焊球(4)直径的1.6倍,所述焊球(5)的直径为Φ200μm~Φ500μm。

4.根据权利要求1所述一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构,其特征在于,所述硅基板(2)上设置有用于电信号传输的通孔。

5.根据权利要求1所述一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构,其特征在于,所述硅基板(2)的正面和背面均电镀有金属层。

6.根据权利要求5所述一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构,其特征在于,所述金属层为Ni-Au系镀层。

7.根据权利要求1所述一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构,其特征在于,所述硅基板(2)和倒装焊芯片(1)的间隙与所述硅基板(2)和管壳(3)的间隙均采用环氧树脂进行填充。

8.根据权利要求1所述一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构,其特征在于,所述管壳(3)的材质为陶瓷材料。

9.根据权利要求1所述一种基于硅基板倒装焊的多芯片多组件叠层结构,其特征在于,相邻两个倒装焊芯片(1)的间距为0.5mm~3mm。

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