[发明专利]防指纹微晶玻璃组件及其制备方法、壳体组件和电子设备

权利要求书

1.一种防指纹微晶玻璃组件，其特征在于，

微晶玻璃基材；

氧化镧膜层，所述氧化镧膜层设置在所述微晶玻璃基材的一个表面上；

介质层，所述介质层设置在所述氧化镧膜层远离所述微晶玻璃基材的表面上；以及

AF膜，所述AF膜设置在所述介质层远离所述微晶玻璃基材的表面上。

2.权利要求1所述的防指纹微晶玻璃组件，其特征在于，所述氧化镧膜层的厚度为小于10纳米。

3.权利要求1所述的防指纹微晶玻璃组件，其特征在于，所述氧化镧膜层中氧化镧为白色斜方晶系，纯度大于99.9％。

4.权利要求1～3中任一项所述的防指纹微晶玻璃组件，其特征在于，所述防指纹微晶玻璃组件还满足以下条件至少之一：

所述介质层的材料为二氧化硅；

所述介质层的厚度小于10纳米；

所述AF膜的厚度为10～20纳米。

5.一种制备权利要求1～4中任一项所述的防指纹微晶玻璃组件的方法，其特征在于，包括：

在微晶玻璃基材的一个表面上形成氧化镧膜层；

在所述氧化镧膜层远离所述微晶玻璃基材的表面上形成介质层；

在所述介质层远离所述微晶玻璃基材的表面上形成AF膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，通过真空镀膜的方法形成所述氧化镧膜层，其中，所述真空镀膜满足以下条件至少之一：

镀膜速率为0.07～0.3nm/s；

电流为150～170mA。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，在形成所述氧化镧膜层之后对所述氧化镧膜层的表面进行离子清洗，使所述氧化镧膜层表面的水滴角小于15°。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，通过真空镀膜的方法形成所述介质层，其中，所述真空镀膜满足以下条件至少之一：

镀膜速率为0.13～0.15nm/s；

电流为150～170mA。

9.根据权利要求5或8所述的方法，其特征在于，在形成所述介质层之后对所述介质层的表面进行离子清洗，使所述介质层表面的水滴角小于15°。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述氧化镧膜层之前，预先用碱性清洗剂对所述微晶玻璃基材的表面进行清洗，所述碱性清洗剂的pH小于9。

11.一种壳体组件，其特征在于，包括权利要求1～4中任一项所述的防指纹微晶玻璃组件。

12.一种电子设备，其特征在于，包括：

权利要求11所述的壳体组件；

显示屏组件，所述显示屏组件与所述壳体组件相连，且所述显示屏组件和所述壳体组件之间限定出安装空间；以及

主板，所述主板设置在所述安装空间内且与所述显示屏组件电连接。