[发明专利]一种自支撑磷化钴纳米线电极及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种自支撑磷化钴纳米线电极的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1，将钴材料与草酸进行固液反应，得钴材料表面原位生长草酸钴；

所述钴材料包括泡沫钴、钴片和钴箔中的一种；所述钴材料与所述草酸的摩尔比为1:0.1-5；所述固液反应的反应温度为20-80℃，所述固液反应的反应时长为0.5-6h；

S2，将所述钴材料表面原位生长草酸钴与磷源在热处理的条件下结合，得所述自支撑磷化钴纳米线电极；

所述钴材料表面原位生长草酸钴与所述磷源的摩尔比为1:1-10；

所述热处理包括：在惰性气氛下进行梯度升温，在升温至200-300℃后保温处理30min以上，然后再升温至400-700℃，并保温120min以上。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述固液反应的过程包括：将所述钴材料在所述草酸的溶液中进行搅拌操作。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磷源包括次磷酸二氢盐、红磷、以及白磷中的一种或多种。

4.一种自支撑磷化钴纳米线电极，其特征在于，采用如权利要求1-3任意一项所述的制备方法进行制备。

5.一种电化学反应装置，其特征在于，包括如权利要求4所述的自支撑磷化钴纳米线电极。