[发明专利]转移装置及其制作方法在审
| 申请号： | 202210090720.6 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114464567A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘忠鹏 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B29C35/02;H01L33/48 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 转移 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种转移装置，其特征在于，包括：
基板；
转移层，其设置于所述基板的一侧面，所述转移层包括多个间隔设置的转移吸头；
其中，所述转移吸头的材料包括基材以及磁性材料，所述转移吸头包括位于所述转移吸头远离所述基板的一侧的转移工作面，所述转移吸头转移工作面的粗糙度范围为Ra17μm-Ra23μm。
2.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述基材包括聚二甲基硅氧烷，所述磁性材料包括纳米铁氧体。
3.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述磁性材料与所述基材的重量比为1:1～4。
4.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述转移吸头呈圆锥台状或柱状。
5.如权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述基板包括暂态基板和玻璃基板中的一种。
6.一种转移装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一基板；
在所述基板上形成液态磁流体层，所述液态磁流体层包括基材和磁性材料；
对所述液态流体层施加磁场，所述磁场的磁场方向与所述基板呈一定夹角，使得所述液态磁流体层在所述基板上分散形成间隔设置的多个未固化转移吸头；
将所述未固化转移吸头固化以形成多个所述转移吸头。
7.如权利要求6所述的转移装置的制作方法，其特征在于，采用加热的方式对所述未固化转移吸头进行固化，对所述未固化转移吸头加热的温度为85-110℃。
8.如权利要求6所述的转移装置的制作方法，其特征在于，所述对所述液态流体层施加磁场，所述磁场的磁场方向与所述基板呈一定夹角，使得所述液态磁流体层在所述基板上分散形成间隔设置的多个未固化转移吸头的步骤之前，还包括：
在所述液态磁流体层远离所述基板的一侧设置一与所述基板平行的挡板；
在所述基板靠近所述挡板的一侧面形成粘胶，所述挡板和所述基板之间通过所述粘胶连接，且所述粘胶的厚度大于基板上的所述液态磁流体层的厚度；
在所述将所述未固化转移吸头固化以形成多个所述转移吸头之后，还包括：
切割所述粘胶，分离所述挡板和所述基板。
9.如权利要求8所述的转移装置的制作方法，其特征在于，所述挡板的材料包括聚四氟乙烯，所述基材包括聚二甲基硅氧烷。
10.如权利要求8所述的转移装置的制作方法，其特征在于，所述粘胶靠近所述基板的边缘设置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
