[发明专利]与深沟槽隔离结构一起集成的金属栅格结构

权利要求书

1.一种像素阵列，其包括：

光电二极管阵列，其形成于半导体衬底中；

第一高k钝化层，其安置于所述半导体衬底上方；

抗反射涂层，其安置于所述第一高k钝化层上方；

缓冲层，其安置于所述抗反射涂层上方；

多个沟槽，其是穿过所述缓冲层、穿过所述抗反射涂层且穿过所述第一高k钝化层蚀刻到所述半导体衬底中，其中所述多个沟槽是在所述半导体衬底中以环绕所述半导体衬底中的所述光电二极管阵列的所述光电二极管中的每一者的栅格状图案蚀刻而成；

第二高k钝化层，其内衬于所述半导体衬底中的所述多个沟槽的内部；

粘合剂与阻障层，其沉积在内衬于所述多个沟槽的所述内部的所述第二高k钝化层上方；

深沟槽隔离DTI结构，其由在所述粘合剂与阻障层上方沉积到所述多个沟槽中以填充所述多个沟槽的导电材料形成；及

栅格结构，其形成于所述DTI结构上方及所述缓冲层的平面上面，其中所述栅格结构是由所述导电材料形成。

2.根据权利要求1所述的像素阵列，其进一步包括安置于所述缓冲层上方的彩色滤光器阵列，其中所述彩色滤光器阵列的每一彩色滤光器与所述半导体衬底中的所述光电二极管阵列的所述光电二极管中的对应一者光学对准，其中所述彩色滤光器阵列的每一彩色滤光器安置于由所述栅格结构界定的对应开口中。

3.根据权利要求2所述的像素阵列，其进一步包括安置于所述彩色滤光器阵列上方的微透镜阵列，其中所述微透镜阵列的每一微透镜与所述彩色滤光器阵列的对应彩色滤光器光学对准。

4.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述像素阵列的边缘处的所述栅格结构朝向所述像素阵列的中心移位。

5.根据权利要求4所述的像素阵列，其中朝向所述像素阵列的中心移位的在所述像素阵列的所述边缘处的所述栅格结构的部分进一步安置于所述缓冲层的部分上方。

6.根据权利要求1所述的像素阵列，其进一步包括沉积于所述栅格结构与所述DTI结构之间的所述粘合剂与阻障层。

7.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述半导体衬底包括硅。

8.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述导电材料包括钨。

9.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述第一高k钝化层及所述第二高k钝化层包括氧化铪及氧化铝中的一或多者。

10.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述第一高k钝化层及所述第二高k钝化层中的每一者具有大约3纳米到9纳米的厚度。

11.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述抗反射涂层包括氧化钽。

12.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述抗反射涂层具有大约50纳米到80纳米的厚度。

13.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述缓冲层包括氧化硅。

14.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述缓冲层具有大约100纳米到300纳米的厚度。

15.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述粘合剂与阻障层包括钛及氮化钛。

16.根据权利要求1所述的像素阵列，其中所述多个沟槽具有在所述半导体衬底中距所述半导体衬底的背侧表面大约1.5微米到2.5微米的深度。