[发明专利]存储器装置及其操作方法在审
申请号: | 202210090830.2 | 申请日: | 2022-01-26 |
公开(公告)号: | CN116417029A | 公开(公告)日: | 2023-07-11 |
发明(设计)人: | 胡瀚文;李永骏 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C8/08 | 分类号: | G11C8/08;G11C7/18;G11C8/14 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
1.一种存储器装置的操作方法,该存储器装置包括多个存储器单元,其特征在于,该存储器装置的操作方法包括:
于一第一阶段内,选择一整体信号线以将该整体信号线由一第一参考电压拉高至一第二参考电压,选择一第一串选择线以将该第一串选择线由该第一参考电压拉高至一第三参考电压,不选一第二串选择线以维持于该第一参考电压,选择一第一字线以将该第一字线由该第一参考电压拉高至一第四参考电压,以及不选一第二字线以将该第二字线由该第一参考电压拉高至一第五参考电压;
于一第二阶段内进行感应;
于一第三阶段内,将该整体信号线维持于该第二参考电压,不选该第一串选择线将该第一串选择线由该第三参考电压拉低至该第一参考电压,选择该第二串选择线以将该第二串选择线由该第一参考电压拉高至该第三参考电压,维持被选的该第一字线于该第四参考电压,以及,维持不选的该第二字线于该第五参考电压;以及
于一第四阶段内进行感应。
2.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法,其特征在于,该存储器装置更包括一页缓冲器电路与一累积电路,
这些存储器单元的至少一受选存储器单元所读出的数据输入至该页缓冲器电路内,传送给该累积电路进行乘积累加运算,得到输出数据。
3.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法,其特征在于,该存储器装置包括多个存储平面且各这些存储平面包括一累积电路,则一乘积累加运算的累积与输出为管线化进行。
4.根据权利要求1所述的存储器装置的操作方法,其特征在于,还包括:
于一第五阶段内,将该整体信号线维持于该第二参考电压,维持被选的该第二串选择线于该第三参考电压,维持不选的该第一串选择线于该第一参考电压,不选该第一字线以该第一字线由该第四参考电压拉高至该第五参考电压,以及,选择该第二字线以将该第二字线由该第五参考电压拉低至该第四参考电压;以及
于一第六阶段内进行感应。
5.一种存储器装置的操作方法,该存储器装置包括多个存储器单元,其特征在于,该存储器装置的操作方法包括:
于一第一阶段内,选择一整体信号线以将该整体信号线由一第一参考电压拉高至一第二参考电压,选择一第一串选择线以将该第一串选择线由该第一参考电压拉高至一第三参考电压,不选一第二串选择线以维持于该第一参考电压,选择一第一字线以将该第一字线由该第一参考电压拉高至一第四参考电压,以及不选一第二字线以将该第二字线由该第一参考电压拉高至一第五参考电压;
于一第二阶段内进行感应;
于一第三阶段内,将该整体信号线维持于该第二参考电压,维持被选的该第一串选择线于该第三参考电压,维持不选的该第二串选择线于该第一参考电压,不选该第一字线以该第一字线由该第四参考电压拉高至该第五参考电压,以及,选择该第二字线以将该第二字线由该第五参考电压拉低至该第四参考电压;以及
于一第四阶段内进行感应。
6.根据权利要求5所述的存储器装置的操作方法,其特征在于,该存储器装置还包括一页缓冲器电路与一累积电路,
这些存储器单元的至少一受选存储器单元所读出的数据输入至该页缓冲器电路内,传送给该累积电路进行乘积累加运算,得到输出数据。
7.根据权利要求5所述的存储器装置的操作方法,其特征在于,该存储器装置包括多个存储平面且各这些存储平面包括一累积电路,则一乘积累加运算的累积与输出为管线化进行。
8.根据权利要求5所述的存储器装置的操作方法,其特征在于,还包括:
于一第五阶段内,将该整体信号线维持于该第二参考电压,不选该第一串选择线将该第一串选择线由该第三参考电压拉低至该第一参考电压,选择该第二串选择线以将该第二串选择线由该第一参考电压拉高至该第三参考电压,维持被选的该第二字线于该第四参考电压,以及,维持不选的该第一字线于该第五参考电压;以及
于一第六阶段内进行感应。
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