[发明专利]倒装型MEMS麦克风及电子设备在审

专利信息
申请号: 202210091131.X 申请日: 2022-01-25
公开(公告)号: CN114501273A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 张浩 申请(专利权)人: 上海感与执技术有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H05K9/00
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 王丽峰
地址: 201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 倒装 mems 麦克风 电子设备
【说明书】:

发明公开一种倒装型MEMS麦克风及电子设备,倒装型MEMS麦克风包括:壳体,壳体包括盖板和底壳,底壳的一端呈敞口设置,盖板盖设于敞口处并与底壳围成空腔;传感组件,传感组件收容于空腔内,传感组件包括倒装于盖板上的集成电路芯片及MEMS芯片,盖板对应MEMS芯片的位置开设有与MEMS芯片连通的声孔;盖板的内外两侧分别设置有相互隔开的第一内屏蔽层和第一外屏蔽层,底壳的内外两侧分别设置有相互隔开的第二内屏蔽层和第二外屏蔽层,其中,第二内屏蔽层与第二外屏蔽层上分别设置有内接地点和外接地点,内接地点和外接地点间隔分布。本发明倒装型MEMS麦克风具有抗射频干扰功能,并可避免干扰信号形成串扰,提高倒装型MEMS麦克风的声学性能。

技术领域

本发明涉及麦克风技术领域,特别涉及一种倒装型MEMS麦克风及电子设备。

背景技术

近年来,智能手机、智能手表以及可穿戴产品等电子设备在人们日常生活中的应用越来越广泛,并且随着科技的发展,对电子设备的性能要求也在逐步提高。MEMS麦克风作为电子产品中的声学器件,其性能为衡量电子产品质量的一大重要因素。目前,一些MEMS麦克风由于外部射频干扰信号辐射至芯片上,干扰信号耦合至输出端,形成干扰噪音,因而存在射频干扰问题,从而影响MEMS麦克风的声学性能。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种倒装型MEMS麦克风及电子设备,旨在解决现有MEMS麦克风存在射频干扰而影响其声学性能的问题。

为实现上述目的,本发明提供一种倒装型MEMS麦克风,所述倒装型MEMS麦克风包括:

壳体,所述壳体包括盖板和底壳,所述底壳的一端呈敞口设置,所述盖板盖设于所述敞口处并与所述底壳围成空腔;

传感组件,所述传感组件收容于所述空腔内,所述传感组件包括倒装于所述盖板上的集成电路芯片及MEMS芯片,所述盖板对应所述MEMS芯片的位置开设有与所述MEMS芯片连通的声孔;

所述盖板的内外两侧分别设置有相互隔开的第一内屏蔽层和第一外屏蔽层,所述底壳的内外两侧分别设置有相互隔开的第二内屏蔽层和第二外屏蔽层,其中,所述第二内屏蔽层与所述第二外屏蔽层上分别设置有内接地点和外接地点,所述内接地点和所述外接地点间隔分布。

优选地,所述内接地点和所述外接地点同侧设置,且均位于所述第二外屏蔽层背离所述盖板的一侧。

优选地,所述第二内屏蔽层设置有延伸部,所述延伸部自所述第二内屏蔽层向外延伸,所述内接地点设置于所述延伸部远离所述第二内屏蔽层的一端。

优选地,所述延伸部远离所述第二内屏蔽层的一端形成安装部,所述第二外屏蔽层形成避让所述安装部的第二避让缺口,所述安装部与所述第二外屏蔽层断开设置,所述内接地点设置于所述安装部上。

优选地,所述第二外屏蔽层上形成所述第二避让缺口的两侧均设置有所述外接地点。

优选地,所述第二内屏蔽层与所述第二外屏蔽层之间具有第二吸热层。

优选地,所述第二吸热层为填充于所述第二内屏蔽层与所述第二外屏蔽层上之间的吸热胶。

优选地,所述第一内屏蔽层与所述第一外屏蔽层之间具有第一吸热层。

优选地,所述第一吸热层为填充于所述第一内屏蔽层与所述第一外屏蔽层之间的吸热胶。

优选地,所述第一内屏蔽层为由外层和内层形成的双层结构,所述外层和所述内层之间形成容置空间,所述容置空间内设置有加强层。

优选地,所述加强层为填充于所述容置空间内的PP层。

优选地,所述盖板的内侧还设置有隔离铜层,所述内层形成第一避让缺口,所述隔离铜层设置于所述第一避让缺口处并与所述内层断开设置,所述MEMS芯片倒装于所述隔离铜层上,所述集成电路芯片倒装于所述内层上。

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