[发明专利]一种半导体芯片用自动共晶机有效
申请号: | 202210091651.0 | 申请日: | 2022-01-26 |
公开(公告)号: | CN114429927B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 凌涵君;梁帅 | 申请(专利权)人: | 深圳市锐博自动化设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 深圳市洪荒之力专利代理有限公司 44541 | 代理人: | 刘真 |
地址: | 518108 广东省深圳市宝安区石岩*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 自动 共晶机 | ||
本发明涉及共晶机技术领域,具体是一种半导体芯片用自动共晶机,包括设备机台,设备机台上设置有:作业载台,架设于设备机台的载面上,作业载台上设置有共晶内框;调节机架,安装于设备机台的载面上并且设置于作业载台的外围,调节机架上设置有位移模组,位移模组上安装有共晶器件,共晶器件上设置有可伸缩的共晶枪;共晶载架,设置于共晶内框的内腔,共晶载架设置于共晶内框的内腔,共晶载架包括支撑载板,以及分别于支撑载板相对接的升温机件和供气机件,芯片装载于支撑载板上,升温机件的加热端位于芯片的共晶区域,供气机件用以提供惰性气体。本发明能够实现灵活而且稳定的温度控制,并且在共晶过程中作防氧化保护,达到高良品率产品要求。
技术领域
本发明涉及共晶机技术领域,具体是一种半导体芯片用自动共晶机。
背景技术
共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象,共晶合金直接从固态变到液态,而不经过塑性阶段,是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。其熔化温度称共晶温度,考虑共晶固晶机台时,除高位置精度外,要达至高精度的固晶,有赖于严谨的机械设计及高精度的马达运动,才能令焊头运动和焊力控制恰到好处之余,亦无损高产能及高良品率的要求。
现有的半导体制造用共晶机,拥有在共晶机在对半导体进行共晶时半导体的放置在共晶台上的芯片支架上,通过加热和温度控制对放置在芯片支架上的芯片进行共晶固晶作业处理,但是现有技术存在一定的缺陷,半导体芯片受到在从共晶固晶的过程中,由于共晶合金存在状态变换,其环境影响对固晶后产物的影响较大,故而单一的通过芯片支架对半导体进行保护,难以有效的达至高精度的固晶。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体芯片用自动共晶机,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种半导体芯片用自动共晶机,包括设备机台,所述设备机台上设置有:
作业载台,架设于设备机台的载面上,所述作业载台上设置有共晶内框;
调节机架,安装于设备机台的载面上并且设置于作业载台的外围,所述调节机架上设置有位移模组,所述位移模组上安装有共晶器件,所述共晶器件沿着位移模组运动,共晶器件上设置有可伸缩的共晶枪;
共晶载架,设置于共晶内框的内腔,所述共晶载架包括支撑载板,以及分别于支撑载板相对接的升温机件和供气机件,芯片装载于支撑载板上,升温机件的加热端位于芯片的共晶区域,供气机件用以提供惰性气体,并且惰性气体由下而上充盈于共晶内框的内腔。
作为本发明进一步的方案:所述共晶内框包括装载基板,以及设置于装载基板上的限制盒,所述装载基板的底部设置有安装空腔,所述限制盒内设置有共晶内腔,所述共晶内腔的顶部设置有开口;所述共晶载架安装于安装空腔中,并且其支撑载板位于共晶内腔的区间内。
作为本发明进一步的方案:所述共晶载架包括支撑框架,以及架设于支撑框架上的固定支板,所述固定支板上若干定位套,所述供气机件设置有若干道并且沿着共晶载架的侧沿排布,所述供气机件包括安装于支撑框架上的输气机筒、安装于输气机筒上的输气支管、以及安装于输气支管上的导气直管,所述导气直管穿设于相应的定位套中,所述导气直管的管端均安装有输气头。
作为本发明进一步的方案:所述支撑载板设置有两层,分别包括对接底板,以及设置于对接底板上方的载面基板,所述对接底板与载面基板之间设置有若干输气斗,所述输气斗与相应的输气头相连接,所述载面基板上设置有若干出气孔,出气孔位于相应的输气斗的上沿区域。
作为本发明进一步的方案:所述升温机件包括安装于支撑框架上的支撑底杆,以及安装于支撑底杆上的加热器,所述对接底板与载面基板之间设置有导热片,所述导热片与加热器相匹配。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市锐博自动化设备有限公司,未经深圳市锐博自动化设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210091651.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造