[发明专利]封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成封装件的方法，包括：

将电容器管芯接合至器件管芯，其中，所述器件管芯包括：

第一半导体衬底；

有源器件，位于所述第一半导体衬底的表面处；

多个低k介电层；

第一介电层，位于所述多个低k介电层中的顶部低k介电层上方并且与所述多个低k介电层中的所述顶部低k介电层接触；和

第一多个接合焊盘，位于所述第一介电层中；

其中，所述电容器管芯包括：

第二介电层，接合至所述第一介电层；

第二多个接合焊盘，位于所述第二介电层中，其中，所述第二多个接合焊盘接合至所述第一多个接合焊盘；和

电容器，电耦接至所述第二多个接合焊盘；以及

在将所述电容器管芯接合至所述器件管芯之后，在所述电容器管芯上方形成含铝焊盘，其中，所述含铝焊盘电耦接至所述器件管芯；以及

在所述含铝焊盘上方形成聚合物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件管芯和所述电容器管芯中的每个中均不含聚合物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述器件管芯和所述电容器管芯中的每个中均不含含铝焊盘。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电容器管芯包括第二半导体衬底，并且所述电容器包括延伸至所述第二半导体衬底中的深沟槽电容器。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述含铝焊盘之前：

形成间隙填充区域以密封所述电容器管芯；以及

平坦化所述间隙填充区域和所述电容器管芯。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将支撑管芯接合至所述器件管芯；以及

抛光所述器件管芯以露出所述器件管芯中的贯通孔，其中，所述贯通孔延伸至所述第一半导体衬底中。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一介电层和所述第一多个接合焊盘形成在抛光的器件管芯上。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述支撑管芯和所述电容器管芯接合至所述器件管芯的相对侧。

9.一种封装件，包括：

器件管芯，所述器件管芯包括：

半导体衬底；

有源器件，位于所述半导体衬底的表面处；

多个低k介电层；

第一介电层，位于所述多个低k介电层中的顶部低k介电层上方并且与所述多个低k介电层中的所述顶部低k介电层接触；和

第一多个接合焊盘，位于所述第一介电层中；

电容器管芯，所述电容器管芯包括：

第二介电层，接合至所述第一介电层；

第二多个接合焊盘，位于所述第二介电层中，其中，所述第二多个接合焊盘接合至所述第一多个接合焊盘；和

电容器，电耦接至所述第二多个接合焊盘；以及

含铝焊盘，位于所述电容器管芯上方，其中，所述含铝焊盘电耦接至所述器件管芯；以及

聚合物层，位于所述含铝焊盘上方。

10.一种封装件，包括：

器件管芯，所述器件管芯包括：

第一半导体衬底；

第一多个介电层；和

第一多个镶嵌结构，位于所述第一多个介电层中；

电容器管芯，所述电容器管芯包括：

第二半导体衬底；

第二多个介电层；和

第二多个镶嵌结构，位于所述第二多个介电层中，其中，所述第二多个镶嵌结构的底面与所述第二多个介电层中的相应介电层的底面共面，其中，所述第二多个介电层中的底层接合至所述第一多个介电层中的顶层；

多个含铝焊盘，位于所述电容器管芯上方，其中，所述多个含铝焊盘电耦接至所述器件管芯；

聚合物层，包括覆盖所述多个含铝焊盘中的每个的边缘部分的部分；以及

多个电连接件，位于所述多个含铝焊盘上方并且电连接至所述多个含铝焊盘。