[发明专利]一种Au/ZnO复合材料在光电化学传感器电极中的应用

权利要求书

1.一种Au/ZnO复合材料在光电化学传感器电极中的应用，其特征在于，所述Au/ZnO复合材料包括Au纳米颗粒和多孔ZnO纳米带，Au纳米颗粒均匀负载在多孔ZnO纳米带表面。

2.根据权利要求1所述Au/ZnO复合材料在光电化学传感器电极中的应用，其特征在于，所述Au纳米颗粒的粒径为2-10nm。

3.一种光电化学传感器电极，其特征在于，所述电极包括Au/ZnO复合材料和ITO基底，Au/ZnO复合材料均匀负载在ITO基底表面。

4.根据权利要求2或4所述的光电化学传感器电极，其特征在于，所述电极的制备方法包括如下步骤：

S1、将Au源与ZnSe·0.5N₂H₄纳米带混合反应，得到Au/ZnSe·0.5N₂H₄复合材料；

S2、将Au/ZnSe·0.5N₂H₄复合材料组装在ITO表面，得到Au/ZnSe·0.5N₂H₄/ITO复合材料，煅烧后，即得到所述光电化学传感器电极。

5.根据权利要求4所述的光电化学传感器电极，其特征在于，步骤S1具体包括：将HAuCl₄的水溶液加入到ZnSe·0.5N₂H₄纳米带的乙醇溶液中混合，10-50℃下搅拌反应30-60min，得到Au/ZnSe·0.5N₂H₄复合材料；

优选地，HAuCl₄与ZnSe·0.5N₂H₄纳米带的摩尔比不大于0.03:1，优选为0.01:1。

6.根据权利要求4或5所述的光电化学传感器电极，其特征在于，步骤S2具体包括：将Au/ZnSe·0.5N₂H₄复合材料分散于N，N-二甲基甲酰胺和氯仿的混合溶液中，采用Langmuir-Blodgett自组装法组装在ITO表面，40-60℃下干燥10min后，得到Au/ZnSe·0.5N₂H₄/ITO复合材料，再在350-580℃下煅烧30-60min，得到Au/ZnO/ITO复合材料，即为所述光电化学传感器电极。

7.根据权利要求4-6任一项所述的光电化学传感器电极，其特征在于，所述煅烧具体包括：以1-3℃/min的升温速率升温至300-400℃后，保温20-40min，再以1-3℃/min的升温速率升温至480-580℃，保温10-20min。

8.一种光电化学传感器，其特征在于，所述传感器包括权利要求3-7任一项所述的光电化学传感器电极。

9.根据权利要求8所述的光电化学传感器，其特征在于，所述传感器由三个电极组成，所述工作电极为所述光电化学传感器电极，所述对电极为Pt丝电极，所述参比电极为饱和Ag/AgCl电极。

10.根据权利要求8或9所述的光电化学传感器，其特征在于，所述传感器是用于4-硝基苯酚的检测。