[发明专利]一种晶圆级可重构Chiplet集成结构

权利要求书

1.一种晶圆级可重构Chiplet集成结构，其特征在于，所述集成结构包括管壳、第一基板、RDL、第二基板、腔室、功能Chiplet、可重构拓扑网络、通孔、第三基板、Chiplet通信网络、第四基板、微凸点、焊球，所述集成结构从上到下依次为所述第三基板和所述第四基板和所述Chiplet通信网络、所述第二基板和所述腔室和所述功能Chiplet和所述可重构拓扑网络和所述通孔、所述微凸点、所述第一基板和所述RDL、所述焊球，所述第三基板嵌入所述第四基板，所述Chiplet通信网络设置于所述第三基板内部，所述通孔设置在所述第二基板上，所述通孔的数量大于等于2，所述通孔在竖直方向上贯穿所述第二基板，所述腔室设置于所述第二基板上所述通孔之间，所述功能Chiplet固定设置于所述腔室内，所述可重构拓扑网络设置于所述第二基板上，所述微凸点固定设置于所述第一基板上，所述微凸点的位置和尺寸与所述通孔对应和匹配，所述RDL设置于所述第一基板的内部，所述焊球固定设置于所述第一基板远离所述微凸点一侧，所述第一基板与所述第二基板相对一侧的面积大于该侧所述第二基板的面积，所述管壳设置在所述第四基板的上侧，且侧端与所述第一基板固定连接。

2.根据权利要求1所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构，其特征在于，所述腔室的数量大于50。

3.根据权利要求2所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构，其特征在于，所述腔室靠近所述第一基板一侧的体积小于所述腔室靠近所述第三基板一侧的体积。

4.根据权利要求3所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构，其特征在于，所述功能Chiplet的数量与所述腔室的数量相同。

5.根据权利要求4所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构，其特征在于，所述腔室底部与所述功能Chiplet之间设置有绝缘介质。

6.根据权利要求5所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构，其特征在于，所述第四基板的顶面上涂有高导热材料。

7.根据权利要求6所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构，其特征在于，所述第三基板的厚度为微米量级。

8.根据权利要求1所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构，其特征在于，所述第一基板的材料为硅、陶瓷、玻璃中的一种。

9.根据权利要求1所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构，其特征在于，所述第三基板的材料为硅、陶瓷、玻璃中的一种。