[发明专利]用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源以及电弧蒸发装置

说明书

本申请提出一种用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源。所述阴极弧蒸发源包括靶材。其中所述靶材的表面包括凹槽结构。所述凹槽结构经配置以限制阴极弧弧斑的移动并限制阴极弧弧斑产生的液滴逸出所述靶材的表面。本申请还提出一种电弧蒸发装置，其包括上述阴极弧蒸发源。

技术领域

本申请涉及一种装置，详细来说，是有关于一种用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源以及电弧蒸发装置。

背景技术

在现有的电弧蒸发装置中，当在对待加工工件进行镀膜工艺时，电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源的靶面金属离化后，会使得等离子体在靶面电磁场做螺旋线运动，以在待加工工件表面形成膜层。但是在等离子体形成过程中，弧斑跑动不够迅速，弧斑在靶面停留时间过长，导致部分熔池温度过高并产生大量中性液体颗粒。液体颗粒会在涂层表面形成贯穿颗粒并容易影响涂层性能。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源以及电弧蒸发装置来解决上述问题。

依据本申请的一实施例，提供一种用于电弧蒸发装置的阴极弧蒸发源。所述阴极弧蒸发源包括靶材。其中所述靶材的表面包括凹槽结构。所述凹槽结构经配置以限制阴极弧弧斑的移动并限制阴极弧弧斑产生的液滴逸出所述靶材的表面。

依据本申请的一实施例，所述凹槽结构包括U型槽。

依据本申请的一实施例，所述U型槽在所述靶材的表面形成封闭圆环。

依据本申请的一实施例，所述U型槽的数量为多个，多个所述U型槽在所述靶材的表面形成同心圆。

依据本申请的一实施例，所述U型槽的深度占所述阴极弧蒸发源的厚度的1/4到2/3。

依据本申请的一实施例，所述U型槽的深度占所述阴极弧蒸发源的厚度的一半。

依据本申请的一实施例，所述U型槽的宽度与深度比在1/2到3/2的范围。

依据本申请的一实施例，相邻两个所述U型槽的间距和所述U型槽的宽度比在1/2到3/2的范围。

依据本申请的一实施例，相邻两个U型槽的间距和U型槽的宽度的和小于阴极弧蒸发源的直径的一半。

依据本申请的一实施例，提出一种电弧蒸发装置。所述电弧蒸发装置包括上述的阴极弧蒸发源。

附图说明

附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：

图1演示依据本申请一实施例的电弧蒸发装置的方块示意图。

图2A和图2B分别演示依据本申请一实施例的阴极弧蒸发源的剖视视图和俯视视图。

具体实施方式

以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。