[发明专利]一种半导体测试电路及方法

权利要求书

1.一种半导体测试电路，其特征在于，包括：第一测试端、第二测试端、第三测试端以及测试电路；

所述第一测试端与待测试半导体器件的漏极连接，所述第二测试端与待测试半导体器件的栅极连接，所述第三测试端与待测试半导体器件的源极连接；所述测试电路与所述第二测试端连接，所述第三测试端接地；

所述第一测试端，用于：向所述待测试半导体器件输入母线电压；

所述测试电路，用于：在第一时间段内向所述第二测试端持续输出所述待测试半导体器件的栅极正向开启电压值的电压，在第二时间段内向所述第二测试端持续输出所述待测试半导体器件的栅极反向关断电压值的电压，在第三时间段内向所述第二测试端持续输出所述待测试半导体器件的栅极阈值电压检测值的电压。

2.根据权利要求1所述的半导体测试电路，其特征在于，所述测试电路，包括：函数发生器、第一驱动电路和第二驱动电路；

所述函数发生器，包括第一信号输出端口和第二信号输出端口；所述第一信号输出端口与所述第一驱动电路的输入端连接；所述第二信号输出端口与所述第二驱动电路的输入端连接；

所述第一驱动电路的供电正端连接第一电压值的供电电源；所述第一驱动电路的供电负端连接第二电压值的供电电源；所述第二驱动电路的供电正端连接第三电压值的供电电源；所述第二驱动电路的供电负端连接第四电压值的供电电源；所述待测试半导体器件的栅极正向开启电压值为所述第一电压值与所述第三电压值之和；所述待测试半导体器件的栅极反向关断电压值为所述第二电压值与所述第四电压值之和；所述待测试半导体器件的栅极阈值电压检测值为所述第二电压值与所述第三电压值之和；

所述第一驱动电路的输出端与所述第二驱动电路的参考地连接；所述第一驱动电路的参考地接地；所述第二驱动电路的输出端与所述第二测试端连接；

所述函数发生器的第一信号输出端口，用于：在所述第一时间段内输出第一电平信号；在所述第二时间段以及所述第三时间段内输出第二电平信号；其中，所述第一电平信号的电压高于所述第二电平信号的电压；

所述函数发生器的第二信号输出端口，用于：在所述第一时间段以及所述第三时间段内输出第一电平信号；在所述第二时间段内输出第二电平信号；

所述第一驱动电路，用于：在所述第一时间段内基于所述第一电平信号输出所述第一电压值；在所述第二时间段以及所述第三时间段内基于所述第二电平信号输出所述第二电压值；

所述第二驱动电路，用于：在所述第一时间段以及所述第三时间段内基于所述第一电平信号输出所述第三电压值；在所述第二时间段内基于所述第二电平信号输出所述第四电压值。

3.根据权利要求2所述的半导体测试电路，其特征在于，所述测试电路，还包括：第一功率放大电路和第二功率放大电路；

所述第一信号输出端口与所述第一功率放大电路的输入端连接；所述第二信号输出端口与所述第二功率放大电路的输入端连接；

所述第一功率放大电路的输出端与所述第二功率放大电路的参考地连接；所述第一功率放大电路的参考地接地；所述第二功率放大电路的输出端与所述第二测试端连接；

所述函数发生器的第一信号输出端口，用于：在所述第一时间段内输出第五电压值的电压，在所述第二时间段以及所述第三时间段内输出第六电压值的电压，所述第一电压值为所述第五电压值的M倍，所述M大于1，所述第二电压值为所述第六电压值的M倍；

所述函数发生器的第二信号输出端口，用于：在所述第一时间段以及所述第三时间段内输出第七电压值的电压，在所述第二时间段内输出第八电压值的电压，所述第三电压值为所述第七电压值的N倍，所述N大于1，所述第四电压值为所述第八电压值的N倍；

所述第一功率放大电路，用于：在所述第一时间段内将所述第一信号输出端口输入的第五电压值放大M倍输出所述第一电压值；在所述第二时间段以及所述第三时间段内将所述第一信号输出端口输入的第六电压值放大M倍输出所述第二电压值；

所述第二功率放大电路，用于：在所述第一时间段内将所述第二信号输出端口输入的第七电压值放大N倍输出所述第三电压值；在所述第二时间段以及所述第三时间段内将所述第二信号输出端口输入的第八电压值放大N倍输出所述第二电压值。