[发明专利]半导体工艺设备

权利要求书

1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室、介质套筒、法拉第筒、线圈组件及进气组件；

所述进气组件盖设于所述介质套筒的顶端，用于将工艺气体输送至所述介质套筒内；所述介质套筒的底端连接于所述工艺腔室的顶板且与所述工艺腔室连通；

所述法拉第筒套设于所述介质套筒的外周，所述法拉第筒的周壁上开设有多个沿周向均布的开口结构；所述开口结构沿所述法拉第筒的轴向延伸设置，并且包括有第一开口部及第二开口部，两个所述第一开口部分别位于所述第二开口部的顶部及底部，所述第一开口部在所述法拉第筒的周向上具有第一周向尺寸，所述第二开口部沿所述法拉第筒的周向上具有第二周向尺寸，所述第一周向尺寸小于所述第二周向尺寸；

所述线圈组件套设于所述法拉第筒的外周，所述线圈组件包括两个线圈结构，两个所述线圈结构在所述法拉第筒的轴向上间隔设置，并且分别与两个所述第一开口部对应设置。

2.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，两个所述线圈结构相对于所述第二开口部对称设置；

两个所述线圈结构在所述法拉第筒的轴向上的间隔距离大于所述第二开口部在所述法拉第筒的轴向上的高度。

3.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，两个所述线圈结构的所述间隔距离的范围为45毫米～65毫米。

4.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，多个所述开口结构的开口总面积为所述法拉第筒外周面积的25％～31％。

5.如权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述开口结构的数量为八个，并且所述第一开口部及所述第二开口部均为矩形结构。

6.如权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一周向尺寸的范围为20毫米～30毫米，所述第二周向尺寸的范围为35毫米～50毫米。

7.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，两个所述线圈结构并联设置，并且两个所述线圈结构的连接处位于任意两相邻的所述开口结构之间，两个所述线圈结构加载功率时，每个所述线圈结构内电流方向相同。

8.如权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述线圈结构包括多个层叠设置的线圈，多个所述线圈的同一位置处均具有缺口，并且任意两相邻的线圈之间采用过渡管连接。

9.如权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，两个所述线圈结构相邻的两个所述线圈之间采用第一连接管连接，两个所述线圈结构相对最远端的两个所述线圈之间采用第二连接管连接，所述第一连接管用于接地，所述第二连接管用于与射频电源连接。

10.如权利要求6所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述线圈组件还包括承载结构，所述承载结构设置于所述法拉第筒的外周，并且能避开多个所述开口结构，两个所述线圈结构均通过所述承载结构设置于所述法拉第筒上。

11.如权利要求1至10的任一所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述进气组件设置有冷却流道，所述工艺腔室的顶板内设置有冷却流道，两个所述冷却流道用于对所述法拉第筒和所述介质套筒进行冷却。