[发明专利]氟化物离子二次电池在审
| 申请号： | 202210095644.8 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114792796A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 樱井胜俊;森田善幸 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/58 | 分类号： | H01M4/58;H01M4/38;H01M4/66;H01M10/05 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 日本东*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氟化物 离子 二次 电池 | ||
1.一种氟化物离子二次电池，具备：
正极材料层，包含Ag；
负极材料层，包含CeF3和PbF2中的至少一种；及，
固体电解质层，配置在前述正极材料层与前述负极材料层之间，并且包含LaF3。
2.根据权利要求1所述的氟化物离子二次电池，其中，
前述负极材料层包含CeF3，
所述氟化物离子二次电池还具备负极集电器层，所述负极集电器层配置在前述负极材料层的外侧，并且包括碳。
3.根据权利要求1所述的氟化物离子二次电池，其中，
前述负极材料层包含PbF2，
所述氟化物离子二次电池还具备负极集电器层，所述负极集电器层配置在前述负极材料层的外侧，并且包括Pb箔。
4.根据权利要求1所述的氟化物离子二次电池，其中，
还具备正极集电器层，所述正极集电器层配置在前述正极材料层的外侧，并且包括碳。
5.根据权利要求1所述的氟化物离子二次电池，其中，
前述正极材料层的膜厚在10nm以上且不足120nm。
6.根据权利要求1所述的氟化物离子二次电池，其中，
前述正极材料层的膜厚在10nm以上且60nm以下。
7.根据权利要求1所述的氟化物离子二次电池，其中，
前述正极材料层的膜厚在10nm以上且30nm以下。
8.根据权利要求1所述的氟化物离子二次电池，其中，
前述负极材料层的膜厚在10nm以上且不足200nm。
9.根据权利要求1所述的氟化物离子二次电池，其中，
前述负极材料层的膜厚在10nm以上且100nm以下。
10.根据权利要求1所述的氟化物离子二次电池，其中，
前述负极材料层的膜厚在10nm以上且50nm以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于本田技研工业株式会社，未经本田技研工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210095644.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
