[发明专利]石墨烯增强的高导电金属材料生长轧制一体化方法及装置

权利要求书

1.石墨烯增强的高导电金属材料生长轧制一体化方法，包括石墨烯生长步骤和轧制成型步骤，其特征在于：所述石墨烯生长步骤和轧制成型步骤在同一腔室内进行。

2.根据权利要求1所述的石墨烯增强的高导电金属材料生长轧制一体化方法，其特征在于：在石墨烯生长步骤中，腔室内的温度为500～1200℃；

和/或，在石墨烯生长步骤中，预先对腔室进行抽真空处理，使得腔室内的气压P满足如下条件：0＜P≤100KPa；

和/或，在石墨烯生长步骤中，用于生长石墨烯的金属材料选自铜、银、金、钯、镍、钨、铝、铁和合金中的一种；

和/或，在石墨烯生长步骤中，用于生长石墨烯的金属材料为金属箔/板。

3.根据权利要求2所述的石墨烯增强的高导电金属材料生长轧制一体化方法，其特征在于：在石墨烯生长步骤中，腔室内的温度为800～1200℃；

和/或，在石墨烯生长步骤中，预先对腔室进行抽真空处理，使得腔室内的气压P满足如下条件：0＜P≤100Pa；

和/或，所述金属材料的厚度为3μm～100mm；

和/或，所述金属材料上生长的石墨烯为1～10层。

4.根据权利要求1所述的石墨烯增强的高导电金属材料生长轧制一体化方法，其特征在于：在轧制成型步骤中，轧制温度为500～1200℃；

和/或，在轧制成型步骤中，轧制压力为1～100MPa；

和/或，在轧制成型步骤中，轧制速度为1～1000mm/s。

5.一种如权利要求1至4中任一项所述的方法制得的石墨烯增强的高导电金属材料。

6.一种如权利要求1至4中任一项所述的方法所使用的石墨烯增强的高导电金属材料生长轧制一体化装置，其特征在于：包括一体化腔室，一体化腔室内划分为生长区和轧制区，生长区内设有用于固定金属材料的夹具以及用于分离金属材料与夹具的分离机构，轧制区内设有收料平台和用于轧制金属材料的轧制机构，一体化腔室内设有用于传输金属材料的传输机构。

7.根据权利要求6所述的石墨烯增强的高导电金属材料生长轧制一体化装置，其特征在于：所述夹具包括两个伸缩悬挂部，每个伸缩悬挂部包括若干第一杆、若干第二杆和若干固定支架，第一杆的中心部位与第二杆的中心部位铰接，第一杆的顶端和底端分别与竖向上相邻的第二杆的端部铰接，第二杆的顶端和底端分别与竖向上相邻的第一杆的端部铰接；所述固定支架的两端均开设有滑动槽口，第一杆与第二杆端部的铰接点受限于对应的滑动槽口，固定支架上设有若干用于固定金属材料的固定件。

8.根据权利要求7所述的石墨烯增强的高导电金属材料生长轧制一体化装置，其特征在于：所述分离机构包括设于固定支架底面的分离刀片和用于驱动所述伸缩悬挂部进行伸缩运动的驱动件一。

9.根据权利要求6所述的石墨烯增强的高导电金属材料生长轧制一体化装置，其特征在于：所述传输机构包括若干可自转的传输辊轮，传输辊轮水平设置。

10.根据权利要求6所述的石墨烯增强的高导电金属材料生长轧制一体化装置，其特征在于：所述轧制机构包括若干对轧制辊组，每对轧制辊组包括可自转的上轧制辊轮和下轧制辊轮，上轧制辊轮和下轧制辊轮均水平设置。