[发明专利]氧化锆陶瓷及其制备方法和电子产品壳体

权利要求书

1.一种氧化锆陶瓷，其特征在于，以所述氧化锆陶瓷的总量为基准，所述氧化锆陶瓷以元素计包含：20.65-59.18wt％的Zr、0.82-3.01wt％的Y、7.07-53.03wt％的Ln、3.49-28.7wt％的Al，其中，Ln选自La、Eu、Nd、Gd、Ce和Sm中的至少一种；且所述氧化锆陶瓷包括：30-63wt％的四方相氧化锆和37-70wt％的次相，且所述次相包含LnAl₁₁O₁₈和/或LnAlO₃。

2.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷，其中，所述氧化锆陶瓷中，LnAl₁₁O₁₈以晶须形式存在，LnAlO₃以钙钛矿形式存在。

3.根据权利要求1或2所述的氧化锆陶瓷，其中，以所述氧化锆陶瓷的总量为基准，所述氧化锆陶瓷以元素计包含：38.61-56.36wt％的Zr、1.09-2.86wt％的Y、7.64-45.45wt％的Ln、3.78-24.6wt％的Al；

所述氧化锆陶瓷包括：40-60wt％的四方相氧化锆和40-60wt％的次相。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的氧化锆陶瓷，其中，所述氧化锆陶瓷满足：硬度≤1450Hv。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的氧化锆陶瓷，其中，所述氧化锆陶瓷满足：韧性≥4MPa·m^1/2。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的氧化锆陶瓷，其中，所述氧化锆陶瓷满足：透光率(800nm)≤1.5％。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的氧化锆陶瓷，其中，所述氧化锆陶瓷满足：介电常数≤29。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的氧化锆陶瓷，其中，所述氧化锆陶瓷满足：密度≤6.15g/cm³。

9.根据权利要求1-8中任意一项所述的氧化锆陶瓷，其中，所述氧化锆陶瓷满足：减薄速度≥25丝/h。

10.根据权利要求1-9中任意一项所述的氧化锆陶瓷，其中，所述氧化锆陶瓷满足：平均落锤高度≥20cm。

11.一种氧化锆陶瓷的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)将含氧化钇的氧化锆、镧系氧化物和氧化铝的粉体，加入水、分散剂和粘合剂进行湿磨，得到浆料；

(2)将所述浆料进行干燥，得到复合氧化锆粉体；

(3)将所述复合氧化锆粉体依次进行成型、烧结，得到氧化锆陶瓷；

其中，所述镧系氧化物中Ln选自La、Eu、Nd、Gd、Ce和Sm中的至少一种；

其中，所述镧系氧化物和氧化铝的摩尔比y满足：1:11≤y≤1:1，其中，所述镧系氧化物以Ln计，所述氧化铝以Al计。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，以所述粉体的总量为基准，所述粉体含有40-60wt％的氧化锆、9.01-45.7wt％的镧系氧化物和14.3-46.49wt％的氧化铝，且所述氧化锆含有1.5-4mol％的氧化钇。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，步骤(1)中，所述分散剂的加入量为所述粉体的0.005-0.5wt％，优选为0.01-0.1wt％；

优选地，所述粘结剂的加入量为所述粉体的0.5-5wt％，优选为2-5wt％；

优选地，所述浆料中固含量为20-60wt％，优选为25-55wt％。