[发明专利]开关单元在审
| 申请号： | 202210097076.5 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114898786A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | P·G·卡佩莱蒂;A·雷达埃利 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开关 单元 | ||
1.一种电子单元，包括：
集成堆叠，依次包括：
第一电极；
双向阈值开关层，在所述第一电极下方；以及
电阻器，具有固定电阻，在所述双向阈值开关层下方。
2.根据权利要求1所述的单元，还包括位于所述双向阈值开关层与所述电阻器之间的第二电极。
3.根据权利要求2所述的单元，其中所述双向阈值开关层的下表面与所述第二电极的上表面接触，并且其中所述上表面和所述下表面具有相同的尺寸。
4.根据权利要求1所述的单元，还包括存储器层，所述存储器层位于所述第一电极与所述双向阈值开关层之间。
5.根据权利要求4所述的单元，还包括阻挡层，所述阻挡层在所述存储器层与所述双向阈值开关层之间。
6.根据权利要求4所述的单元，其中所述存储器层由相变材料制成。
7.根据权利要求4所述的单元，其中所述存储器层是电阻式随机存取存储器层。
8.根据权利要求4所述的单元，其中所述存储器层是磁阻式随机存取存储器层。
9.根据权利要求4所述的单元，其中所述第一电极的下表面与所述存储器层的上表面接触，并且其中所述上表面和所述下表面具有相同的尺寸。
10.根据权利要求1所述的单元，其中所述电阻器具有L形横截面。
11.根据权利要求10所述的单元，其中所述电阻器的L形横截面与所述双向阈值开关层的形状自对准。
12.根据权利要求1所述的单元，其中所述单元是包括字线和位线的存储器的一部分，并且其中所述单元通过所述电阻器连接到所述字线并且通过所述第一电极连接到所述位线。
13.根据权利要求1所述的单元，其中所述双向阈值开关层的上表面与所述第一电极的下表面接触，并且其中所述上表面和所述下表面具有相同的尺寸。
14.一种电子单元，包括：
集成堆叠，依次包括：
第一电极；
双向阈值开关层，在所述第一电极下方；以及
电阻器，连接到所述双向阈值开关层；
其中所述第一电极和所述电阻器由难熔金属或难熔金属氮化物中的一种制成。
15.根据权利要求14所述的单元，还包括第二电极，所述第二电极位于所述双向阈值开关层与所述电阻器之间。
16.根据权利要求15所述的单元，其中所述双向阈值开关层的下表面与所述第二电极的上表面接触，并且其中所述上表面和所述下表面具有相同的尺寸。
17.根据权利要求14所述的单元，还包括存储器层，所述存储器层位于所述第一电极与所述双向阈值开关层之间。
18.根据权利要求17所述的单元，还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述存储器层与所述双向阈值开关层之间。
19.根据权利要求17所述的单元，其中所述存储器层由相变材料制成。
20.根据权利要求17所述的单元，其中所述存储器层是电阻式随机存取存储器层。
21.根据权利要求17所述的单元，其中所述存储器层是磁阻式随机存取存储器层。
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