[发明专利]一种自适应温度和电源电压的环形振荡器

权利要求书

1.一种自适应温度和电源电压的环形振荡器，其特征在于，包括：电源电压－电流转换器、CATA电流发生器和电流控制振荡器；

其中，所述电源电压－电流转换器，用于对电路中产生的负温度特性和正温度特性进行抵消，输出与电源电压成正比的第一电流；

所述CATA电流发生器，用于通过设置预设阈值电压MOS管和常规阈值电压MOS管，以使所述预设阈值电压MOS管的宽长比大于所述常规阈值电压MOS管的宽长比，输出与温度成负斜率线性关系的第二电流；

所述电流控制振荡器，用于获取所述第一电流和所述第二电流相减之后的总电流作为所述电流控制振荡器的输入，输出振荡频率。

2.如权利要求1所述的一种自适应温度和电源电压的环形振荡器，其特征在于，所述电源电压－电流转换器，包括：

第一电源电压、第二电源电压、第一接地、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管和第一电阻；

其中，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅端分别与所述第二电源电压相连接；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源端分别与所述第一电源电压相连接；所述第一PMOS管的栅端和所述第二PMOS管的栅端、漏端分别与所述第一NMOS管的漏端相连接；所述第三PMOS管的栅端和第四PMOS管栅端、漏端分别与所述第二NMOS管的漏端相连接；所述第一PMOS管的源端与所述第一接地连接；所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的源端分别与所述第一PMOS管的漏端相连接；所述第三PMOS管的漏端分别与所述第四PMOS管的源端和所述第一电阻的第一端相连接；栅漏短接的所述第三NMOS管的栅漏端和所述第四NMOS管的栅端分别与所述第一电阻的第二端相连接；所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源端分别与所述第一电源电压相连接；栅漏短接的所述第五PMOS管的栅漏端和所述第六PMOS管的栅端分别与所述第四NMOS管的漏端相连接；所述第五PMOS管和所述第六PMOS管的源端分别与所述第一接地相连接，所述第六PMOS管的漏端为所述电源电压－电流转换器的电流输出端。

3.如权利要求2所述的一种自适应温度和电源电压的环形振荡器，其特征在于，所述CATA电流发生器，包括：

第三电源电压、第二接地、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第二电阻和第一电容；

其中，所述第五NMOS管、所述第六NMOS管、所述第七NMOS管和所述第八NMOS管的源端分别与所述第三电源电压相连接；所述第五NMOS管、所述第六NMOS管、所述第七NMOS管和所述第八NMOS管的栅端相互连接；栅漏短接的所述第七NMOS管的栅漏端和所述第八PMOS管的漏端相连接；所述第七PMOS管的漏端分别与所述第七PMOS管的栅端和所述第二电阻的第一端相连接；所述第二电阻的第二端与栅漏断接的所述第九PMOS管的栅漏端相连接；所述第九PMOS管和所述第七PMOS管的源端分别与所述第三电源电压相连接；所述第七PMOS管的漏端分别与所述第六NMOS管的漏端、所述第一电容的第一端和所述第八PMOS管的栅端相连接；所述第一电容的第二端与所述第三电源电压相连接；所述第八PMOS管的源端与所述第三电源电压相连接；所述第八NMOS管的漏端为所述CATA电流发生器的电流输出端。

4.如权利要求3所述的一种自适应温度和电源电压的环形振荡器，其特征在于，还包括：CATA电流发生器启动电路；

所述CATA电流发生器启动电路包括第九NMOS管、第十NMOS管、第十PMOS管、第四电源电压和第三接地；

其中，所述第一NMOS管的栅偏置电压分别与所述第十PMOS管和所述第十NMOS管的栅端相连接；所述第十PMOS管的源端与所述第三接地相连接；所述第十PMOS管的漏端分别与所述第九NMOS管的栅端和所述第十NMOS管的漏端相连接；所述第九NMOS管和第十NMOS管的源端分别与第四电源电压相连接；所述第九NMOS管的漏端对于所述第八PMOS管的栅端节点相连接。