[发明专利]一种含双重氮基团的交联剂及其制备方法和应用

说明书

本发明提供一种含双重氮基团的交联剂及其制备方法和应用，所述含双重氮基团的交联剂具有式I所示结构。本发明的含双重氮基团的交联剂在紫外光照射或加热条件下生成卡宾自由基，其能够进攻空穴传输聚合物烷基侧链上的C‑H键，并与之形成新的碳碳键，进而发生交联反应。空穴传输聚合物材料与双重氮化合物发生化学键合，得到的空穴传输层薄膜更加致密，使得空穴传输层具有抗溶剂性，有效地解决了传统空穴传输聚合物材料不具有抗溶剂性的问题，并且空穴传输层具有更为优异的载流子迁移率；此外，交联后得到的空穴传输层薄膜具有更好的表面能，利于量子点发光材料在这一层的铺展，从而使得制备的QLED器件的性能得到改善。

技术领域

本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种含双重氮基团的交联剂及其制备方法和应用。

背景技术

相比于有机发光二极管，量子点发光二极管(Quantum Dot Light EmittingDiodes，QLED)作为最具有应用前景的下一代自发光显示技术，拥有能耗低、色纯度高、色域广等诸多显著的优势。

鉴于量子点只能适用于溶液法制备发光显示器件，因此喷墨打印技术成为制备QLED器件的不二选择。喷墨打印制备方式，具有材料利用率高、可适用于大尺寸面板制备的特点，在新型显示技术中竞争力强，有广阔的发展前景。

喷墨打印QLED，要求所用材料必须可以进行溶液化处理，且各功能层之间不能发生互相侵蚀的现象，因此就要求下层功能层对上层溶液具有良好的抗溶剂性和铺展性。其中，目前空穴传输层主要使用高分子空穴传输材料，虽然具有可溶液处理特性，但是其不具有抗溶剂性并且表面能较低，会发生层间侵蚀问题并且不利于上层溶液的铺展。

CN111816794A公开了一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法，包括如下步骤：(1)在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层；(2)在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，制得界面修饰层A；(3)在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；(4)在量子点发光层上沉积PEIE溶液，制得界面修饰层B；(5)在界面修饰层B上沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly-TPD、TCTA、CBP中的一种或多种，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；(5)蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。该发明的空穴传输层不具有抗溶剂性，并且其表面能有待提高。

因此，在本领域中期望开发一种可以交联高分子空穴传输材料的化合物，通过在光热条件下，实现空穴传输层界面的抗溶剂性，有效改善空穴传输层的表面能，从而有利于上层发光层溶剂的铺展，提高发光层界面的稳定性，从而实现喷墨印刷高效制备QLED器件。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种含双重氮基团的交联剂，本发明的交联剂在光热条件下可以与高分子空穴传输材料(例如聚合物Poly-TPD或者TFB)发生反应，使得制备的空穴传输层具有普适的抗溶剂性，并且其表面能得到改善。

为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：

第一方面，本发明提供一种含双重氮基团的交联剂，所述含双重氮基团的交联剂具有式I所示结构：

其中，R₁为氢、卤素、取代或未取代的含有1-20个碳原子的烷基，所述取代的含有1-20个碳原子的烷基中的取代基包括酯基或酰胺基；R₂为含有1-20个碳原子的直链或支链的亚烷基、或者所述含有1-20个碳原子的直链或支链的亚烷基中的一个或不相邻的两个以上的-CH₂-基团以氧原子不直接相邻的方式分别独立地被-O-基团替代后的基团、或者所述含有1-20个碳原子的直链或支链的亚烷基中的一个-CH₂-基团被环烷基或杂环烷基取代后的基团。