[发明专利]一种三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成包括多个阶梯台阶的叠层结构；

至少在所述多个阶梯台阶上形成含氢介质覆盖层，其中所述含氢介质覆盖层包含以成键方式、游离单原子、游离分子中任意一种或组合的形式存在的氢；以及

对所述含氢介质覆盖层进行退火处理，形成改性介质覆盖层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述含氢介质覆盖层之后，对其进行退火处理包括：

在形成所述含氢介质覆盖层之后，直接对所述含氢介质覆盖层进行退火处理。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述退火处理的条件为：退火温度为500℃至600℃，退火时间为1小时至10小时。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，进行退火处理还包括：

在低压环境下进行退火处理，其中所述压强小于等于5托。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少在所述多个阶梯台阶上形成含氢介质覆盖层包括：

通过高密度等离子体化学气相淀积工艺，至少在所述多个阶梯台阶上形成所述含氢介质覆盖层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述含氢介质覆盖层包括含氢氧化硅层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述改性介质覆盖层上形成介质填充层；

对所述改性介质覆盖层和所述介质填充层进行平坦化处理；以及

对所述介质填充层进行退火处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述介质填充层包括正硅酸乙酯材料层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述平坦化处理包括：

刻蚀工艺和化学机械研磨工艺中的任意一种或组合。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

对所述介质填充层进行退火处理的条件为：退火温度为700℃至800℃，退火时间为5分钟至30分钟。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在对所述含氢介质覆盖层进行退火处理之后，在所述衬底的、背离所述叠层结构的表面形成衬底调节层；以及

在对所述改性介质覆盖层和所述介质填充层进行平坦化处理之后，去除所述衬底调节层。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其特征在于，

所述叠层结构包括交替叠置的绝缘层和栅极牺牲层，或者所述叠层结构包括交替叠置的绝缘层和栅极层。

13.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

叠层结构，形成于所述衬底上，并包括多个阶梯台阶；以及

改性介质覆盖层，通过对包含以成键方式、游离单原子、游离分子中任意一种或组合的形式存在的氢的含氢介质覆盖层进行退火处理而形成，所述改性介质覆盖层至少覆盖所述多个阶梯台阶。

14.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，

所述改性介质覆盖层包括改性氧化硅层。

15.根据权利要求13所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括形成在所述改性介质覆盖层上的介质填充层。

16.根据权利要求15所述的存储器，其特征在于，所述介质填充层包括正硅酸乙酯材料层。