[发明专利]一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202210098922.5 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114899314A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 徐勇;高相林;严宇;陈泉桦;饶锦航;戴晓菡;陈子龙;于志浩;孙华斌;吴洁 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 210023 江苏省盐城市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 交错 聚合物 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
1.一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：
步骤一：半导体溶液的配置，将半导体材料与有机溶剂按照5-7mg/ml的质量体积比进行配置；
步骤二：溶液的溶解，将步骤一中的半导体溶液加热至80℃，静置溶解24小时；
步骤三：衬底的清洗，选择SiO2衬底，将其置于去离子水、酒精中分别超声5分钟，重复两轮，然后用氮气枪吹干；
步骤四：通过移液枪将步骤二中的半导体溶液在步骤三中的衬底上表面铺满，先在500rpm的转速下匀胶5秒，再在1000rpm至2000rpm的转速下匀胶60秒，制备出厚度均值范围从8nm至106nm的半导体薄膜；
步骤五：在步骤四中的衬底上蒸镀50nm的金作为源漏电极；
步骤六：用酒精擦拭步骤五所得的器件周边，静置，待酒精完全挥发，使用塑料镊将器件隔离，用金刚笔在器件上方（器件之外的区域）将SiO2划开，使得在SiO2下方的Si裸露出来，在该位置涂敷导电银胶并粘附铜箔，加热13-18min使导电银胶固化，得到高性能的底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，其特征在于：步骤五中，热蒸发电流为130-150A，蒸发速率为 0.01-0.06nm/s。
3.根据权利要求1所述的一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤一中的半导体材料为高分子量的有机共轭聚合物。
4.根据权利要求3所述的一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述高分子量的有机共轭聚合物为1,4-二氧并二吡咯和噻吩的聚合物。
5.根据权利要求1所述的一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤一中的有机溶剂为二氯苯。
6.根据权利要求1所述的一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤四中的半导体薄膜厚度为13nm-30nm。
7.根据权利要求1所述的一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，其特征在于：步骤三中SiO2的厚度为300nm。
8.根据权利要求1所述的一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，其特征在于：有机溶剂为二氯苯。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210098922.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
