[发明专利]陶瓷电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷电子器件，包括：

层叠结构，其中多个电介质层中的每一层和三层以上的内部电极层中的每一层交替地层叠，所述电介质层的主要成分是陶瓷，

其中所述三层以上的内部电极层包括Ni和Sn，

其中在所述三层以上的内部电极层中的至少两层的关系中，相比于具有较小的Sn浓度、并且位于层叠方向靠中心侧的内部电极层，具有较大的Sn浓度的内部电极层更靠层叠方向上的最外边缘侧。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中在多个内部电极层的从所述多个内部电极层中的中心一层到所述多个内部电极层中的最外一层的一部分中，所述多个内部电极层中的最外一层的Sn浓度最高。

3.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中在所述层叠方向上从最外边缘到中心侧的多个内部电极层中，位于靠最外边缘侧的多个内部电极层的Sn浓度高于所述层叠方向上靠中心侧的其余内部电极层的Sn浓度。

4.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中内部电极层的Sn浓度在所述层叠方向上从中心内部电极层到最外内部电极层逐渐变大，或者在所述层叠方向上从所述中心内部电极层到所述最外内部电极层逐级变大。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的陶瓷电子器件，其中所述三层以上的内部电极层各自的厚度为1μm以下。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的陶瓷电子器件，其中所述三层以上的内部电极层的Sn浓度为10at％以下。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的陶瓷电子器件，其中所述三层以上的内部电极层的Sn浓度为0.1at％以上。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的陶瓷电子器件，其中在所述三层以上的内部电极层中，最大Sn浓度相对于最小Sn浓度的比率为大于1且小于等于100。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的陶瓷电子器件，其中在多个内部电极层中在所述多个内部电极层与所述多个电介质层之间的每个界面附近的Sn浓度高于所述多个内部电极层在厚度方向上的中心部分的Sn浓度。

10.一种陶瓷电子器件的制造方法，包括：

通过在各个电介质生片上，形成各个包括Ni和Sn的内部电极图案，形成层叠单元；

通过层叠三个以上的所述层叠单元，形成层叠结构；

烧制所述层叠结构，

其中在至少两个所述内部电极图案的关系中，相比于具有较小的Sn浓度、并且位于层叠方向上靠中心侧的内部电极图案，具有较大的Sn浓度的内部电极图案更靠层叠方向上的最外边缘侧。