[发明专利]电路装置和振荡器

说明书

本发明提供电路装置和振荡器，能够提高对振荡频率进行控制的可变电容电路的电容值的线性度。电路装置包含生成电容控制数据的处理电路和振荡电路。振荡电路具有电容值根据电容控制数据而被可变地控制的可变电容电路，该振荡电路的振荡频率被可变电容电路的电容值控制。可变电容电路具有电容器阵列。电容器阵列具有：多个电容器，该多个电容器的各电容器的电容值被二进制地加权；以及多个开关，它们根据电容控制数据而被控制接通断开。处理电路输出以将可变电容电路的电容值时分地切换为第1电容值和第2电容值的方式进行抖动处理后的电容控制数据。

技术领域

本发明涉及电路装置和振荡器等。

背景技术

已知一种温度补偿型振荡器，其在振荡电路的振荡节点上连接有电容器阵列，根据温度来控制该电容器阵列的电容值，由此对振荡频率进行温度补偿。专利文献1所公开的数字温度补偿振荡器为了使用较少数量的电容元件进行精密的控制，而具有彼此相同电容值的多个第1电容元件和具有第1电容元件的电容值的1/(n+1)的电容值的第2电容元件。由多个第1电容元件和第2电容元件构成电容器阵列，数字温度补偿振荡器根据温度来控制该电容器阵列的电容值，由此对振荡频率进行温度补偿。

专利文献1：日本特开平5-218738号公报

在使用电容器阵列的温度补偿中，电容器阵列的电容值的线性度影响温度补偿的补偿精度。作为电容器阵列，考虑使用对各电容器的电容值进行二进制加权的结构。例如，设与LSB对应的电容值为C，电容器阵列具有C、2C、4C和8C的电容器。此时，例如在选择了C+2C+4C＝7C的状态与选择了8C的状态之间切换时、或者在选择了C+2C＝3C的状态与选择了4C的状态之间切换时等，存在由于寄生电容或制造偏差等的影响而导致电容值的线性度容易降低的课题。

发明内容

本发明的一个方式涉及一种电路装置，该电路装置包含：处理电路，其生成电容控制数据；振荡电路，其具有电容值根据所述电容控制数据而被可变地控制的可变电容电路，该振荡电路的振荡频率被所述可变电容电路的电容值控制，所述可变电容电路具有电容器阵列，所述电容器阵列具有：多个电容器，该多个电容器的各电容器的电容值被二进制地加权；以及多个开关，它们在所述振荡电路的振荡节点与接地节点之间与所述多个电容器串联设置，并且根据所述电容控制数据而被控制接通断开，所述处理电路输出以将所述可变电容电路的电容值时分地切换为第1电容值和第2电容值的方式进行抖动处理后的所述电容控制数据。

此外，本发明的其他方式涉及一种振荡器，该振荡器包含：上述记载的电路装置；以及振子，其通过被所述振荡电路驱动而振荡。

附图说明

图1是电路装置和振荡器的结构例。

图2是振荡电路和可变电容电路的详细结构例。

图3是电容器阵列的第1详细结构例。

图4是电容器的详细的结构例。

图5是电容器的详细的结构例。

图6是电容器的详细的结构例。

图7是构成电容器的基本电容器和构成开关的基本开关的结构例。

图8是不进行基于抖动处理部的抖动处理的情况下的、相对于电容控制数据的可变电容电路的电容值。

图9是说明处理电路的动作的时序图。

图10是应用了本实施方式的抖动处理时的、相对于电容控制数据的可变电容电路的电容值。

图11是处理电路和存储器的第1详细结构例。

图12是电容器阵列的第2详细结构例。

图13是处理电路和存储器的第2详细结构例。

图14是存储于时分模式存储部的第2表的例子。