[发明专利]背照式CMOS传感器中取晶粒的方法和应用

权利要求书

1.一种背照式CMOS传感器中取晶粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（a）将背照式CMOS传感器置于混酸中进行处理以除去晶粒表面的至少大部分封装料，取出，得到预处理晶粒；

其中，所述混酸包括硫酸和硝酸，所述硫酸的质量分数为95-98%，所述硝酸的质量分数为65-68%，所述硫酸和硝酸的体积比为（4-5）: 1，处理的温度为150-180℃，处理的时间为0.5-1.5h；

（b）采用胶水将所述预处理晶粒靠近电路层的一侧平整固定在硅片上；

（c）对预处理晶粒远离电路层的一侧进行任选的一次研磨以除去可能残留的封装料，然后进行反应离子刻蚀和二次研磨以使电路层完整的暴露出来并保持一定的平整度，得到晶粒；

步骤（c）中，所述反应离子刻蚀的工艺参数包括：功率为200-250W，压力为4-10Pa，反应速率为100-150nm/min。

2.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器中取晶粒的方法，其特征在于，步骤（a）中，所述硫酸和硝酸的体积比为5: 1。

3.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器中取晶粒的方法，其特征在于，步骤（b）中，所述胶水为用于制备金属图形样品的AB胶。

4.根据权利要求3所述的背照式CMOS传感器中取晶粒的方法，其特征在于，步骤（b）中，所述胶水的耐高温温度为不小于200℃。

5.根据权利要求1所述的背照式CMOS传感器中取晶粒的方法，其特征在于，步骤（b）中，所述硅片的厚度为100-200μm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的背照式CMOS传感器中取晶粒的方法，其特征在于，步骤（c）中，所述反应离子刻蚀所采用的刻蚀气体包括SF₆。

7.根据权利要求1-5任一项所述的背照式CMOS传感器中取晶粒的方法，其特征在于，步骤（c）中，一次研磨采用手动研磨和/或机械研磨的方式进行。

8.根据权利要求1-5任一项所述的背照式CMOS传感器中取晶粒的方法，其特征在于，步骤（c）中，在电路层完整的暴露出来之后还包括清洗的步骤，得到晶粒。

9.根据权利要求8所述的背照式CMOS传感器中取晶粒的方法，其特征在于，步骤（c）中，所述清洗包括先采用热硫酸清洗再采用丙酮清洗的步骤。

10.一种背照式CMOS传感器的失效分析方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用权利要求1-9任一项所述的背照式CMOS传感器中取晶粒的方法以使晶粒暴露；

对晶粒进行缺陷分析。

11.根据权利要求10所述的背照式CMOS传感器的失效分析方法，其特征在于，采用光学显微镜和/或电性测试对晶粒进行缺陷分析。